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    • 专利摘要:
    於本導電片10、11中，藉由導電部14a、14b來形成在平面觀察時排列有形狀不同的多個開口部18的網孔圖案20，上述導電部14a、14b形成於基體12的至少一個主面，且包含多條金屬細線16。此外，多個開口部18各自的面積的標準偏差為0.017 mm2以上且為0.038 mm2以下、或者關於多個開口部18的各重心位置的二維分布，上述各重心位置沿著規定方向配置，與各重心位置的相對於規定方向的垂直方向的位置的均方差相關的標準偏差為15.0 μm以上、或者網孔圖案20的功率頻譜的沿著角度方向的標準偏差的由常用對數所表示的值在徑向上的標準偏差為0.965以上且為1.065以下。
    公开号:TW201322084A
    申请号:TW101136702
    申请日:2012-10-04
    公开日:2013-06-01
    发明作者:Kazuchika Iwami
    申请人:Fujifilm Corp；
    IPC主号:G06F3-00
    专利说明:
    導電片、觸控面板、顯示裝置
    本發明是有關於導電片、觸控面板、顯示裝置。
    近年來，組裝有觸控面板的電子設備正廣泛地普及。觸控面板大多搭載於行動電話或個人數位助理(Personal Digital Assistant，PDA)等包括小尺寸(size)畫面的設備。可充分地設想今後，亦將上述觸控面板裝入至個人電腦(Personal Computer，PC)用顯示器(display)等包括大尺寸畫面的設備。
    根據透光性的觀點，於先前的觸控面板電極中，主要使用有氧化銦錫(Indium Tin Oxide，ITO)。已知與金屬等相比較，ITO的每單位面積的電阻相對較高。亦即，於ITO的情形時，隨著畫面的尺寸(觸控面板的總面積)增大，整個電極的表面電阻升高。結果，出現了如下的問題，即，電極之間的電流的傳導速度變慢，自與觸控面板發生接觸之後直至檢測出接觸位置為止的時間(亦即響應速度)變慢。
    因此，已提出了各種技術，即，利用包含電阻低的金屬的細線(金屬細線)來形成多個網孔格子，從而構成電極，藉此來使表面電阻下降。例如當觀察對象物為顯示畫面時，為了抑制因與構成該顯示畫面的各像素之間的幾何學關係所引起的波紋(moire)(條紋干涉)的產生，使網孔形狀具有不規則性。
    於專利文獻1中揭示有如下的網孔圖案4，該網孔圖案4如圖43A所示，組合有隨機地朝橫方向延伸配置的多條細線1、及隨機地朝縱方向延伸配置的多條細線2。
    於專利文獻2中揭示有如下的網孔圖案8，該網孔圖案8如圖43B所示，於能夠感知未圖示的導體的接觸等的帶狀區域6內，無間隙地鋪滿有多邊形狀的網孔形狀。
    [先前技術文獻]
    [專利文獻]
    [專利文獻1]美國專利公開申請案第2011-0102361號
    [專利文獻2]美國專利公開申請案第2009-0219257號
    然而，當如專利文獻1所示的網孔圖案4般，各網孔形狀所劃定的開口部的尺寸大致相等時，存在如下的情形，即，根據與像素(pixel)的各次像素(subpixel)(例如RGB次像素)的配置的規則性之間關係，會產生顏色雜訊(noise)。
    此外，若如專利文獻2所示的網孔圖案8般，使各開口部的尺寸過度地分散，則存在如下的不良，即，容易視認雜訊粒狀感(亦稱為粗糙感)。
    本發明是為了解決上述問題而成的發明，本發明的目的在於能夠同時抑制雜訊粒狀感及顏色雜訊的產生且能夠大幅度地使觀察對象物的視認性提高的導電片、觸控面板以及顯示裝置。
    本發明的導電片為如下的導電片，該導電片的特徵在於包括：基體；以及導電部，形成於基體的至少一個主面，且包含多條金屬細線，藉由導電部，形成在平面觀察時排列有形狀不同的多個開口部的網孔圖案，多個開口部各自的面積的標準偏差為0.017 mm2以上且為0.038 mm2以下。
    如此，將網孔圖案的各開口部的面積的標準偏差設為0.017 mm2以上且為0.038 mm2以下。以處於上述範圍內的方式，對各開口部的面積分布進行調整，藉此能夠同時抑制顏色雜訊的產生，從而可使觀察對象物的視認性大幅度地提高。
    此外，本發明的導電片為如下的導電片，該導電片的特徵在於包括：基體；以及導電部，形成於基體的至少一個主面，且包含多條金屬細線，藉由導電部，形成在平面觀察時排列有形狀不同的多個開口部的網孔圖案，關於多個開口部的各重心位置的二維分布，各重心位置沿著規定方向配置，與各重心位置的相對於規定方向的垂直方向的位置的均方差相關的標準偏差為15.0 μm以上。
    此外，本發明的導電片為如下的導電片，該導電片的特徵在於包括：基體；以及導電部，形成於基體的至少一個主面，且包含多條金屬細線，藉由導電部，形成在平面觀察時排列有形狀不同的多個開口部的網孔圖案，網孔圖案的功率頻譜的沿著角度方向的標準偏差的由常用對數所表示的值在徑向(radial direction)上的標準偏差為0.965以上且為1.065以下。
    此外，上述導電片較佳為滿足如下的3個條件中的2個以上的條件的導電片，上述3個條件是指多個開口部各自的面積的標準偏差為0.017 mm2以上且為0.038 mm2以下；關於多個開口部的各重心位置的二維分布，各重心位置沿著規定方向配置，與各重心位置的相對於規定方向的垂直方向的位置的均方差相關的標準偏差為15.0 μm以上；以及網孔圖案的功率頻譜的沿著角度方向的標準偏差的由常用對數所表示的值在徑向上的標準偏差為0.965以上且為1.065以下。
    此外，多個開口部各自的面積的標準偏差較佳為0.019 mm2以上且為0.027 mm2以下。
    此外，關於多個開口部的各重心位置的二維分布，各重心位置沿著規定方向配置，與各重心位置的相對於規定方向的垂直方向的位置的均方差相關的標準偏差較佳為54.62 μm以上。
    此外，網孔圖案的功率頻譜的沿著角度方向的標準偏差的在徑向上的標準偏差較佳為0.97以上且為1.06以下。
    此外，較佳為導電部包括：第1導電部，形成於基體的一個主面，且包含多條金屬細線；以及第2導電部，形成於基體的另一個主面，且包含多條金屬細線，網孔圖案是藉由將第1導電部及第2導電部加以組合而形成。
    或者，導電部較佳為形成於基體的一個主面。
    而且，較佳為更包括：第1保護層，設置於一個主面上，且將第1導電部予以包覆；以及第2保護層，設置於另一個主面上，且將第2導電部予以包覆，基體相對於第1保護層的相對折射率、及/或基體相對於第2保護層的相對折射率為0.86以上且為1.15以下。
    而且，較佳為更包括第1虛設電極部，該第1虛設電極部形成於一個主面，且包含與第1導電部電性絕緣的多條金屬細線，第1導電部包括多個第1導電圖案，上述多個第1導電圖案沿著一個方向配置，且分別連接著多個第1感知部，第1虛設電極部包括多個第1虛設圖案，上述多個第1虛設圖案配置於鄰接的第1導電圖案彼此的間隙部，第1虛設圖案的配線密度與第1導電圖案的配線密度相等。
    本發明的觸控面板的特徵在於包括：上述任一個導電片；以及檢測控制部，對來自導電片的主面側的接觸位置或接近位置進行檢測。
    本發明的顯示裝置的特徵在於包括：上述任一個導電片；檢測控制部，對來自導電片的一個主面側的接觸位置或接近位置進行檢測；以及顯示部，基於顯示信號來將影像顯示於顯示畫面上，導電片使另一個主面側與顯示部相對向，且配置於顯示畫面上。
    根據本發明，可同時抑制雜訊粒狀感及顏色雜訊的產生，從而可使觀察對象物的視認性大幅度地提高。
    亦即，根據本發明的導電片、觸控面板以及顯示裝置，以如下的方式進行調整，即，使網孔圖案的各開口部的面積的標準偏差處於0.017 mm2以上且為0.038 mm2以下的範圍內、關於各開口部的重心位置的二維分布，各重心位置沿著規定方向配置，使與各重心位置的相對於規定方向的垂直方向的位置的均方差相關的標準偏差處於15.0 μm以上的範圍內、或使網孔圖案的功率頻譜的沿著角度方向的標準偏差的由常用對數所表示的值在徑向上的標準偏差處於0.965以上且為1.065以下的範圍內，藉此能夠同時抑制雜訊粒狀感及顏色雜訊的產生，從而可使觀察對象物的視認性(visibility)大幅度地提高。
    以下，關於本發明的導電片，在與實施本發明的觸控面板及顯示裝置之間的關係方面列舉較佳的實施形態，一面參照隨附圖式，一面詳細地進行說明。再者，於本說明書中，表示數值範圍的「~」是用作包含其前後所記載的數值作為下限值及上限值的意思。
    以下，以觸控面板用的導電片為代表例，對本發明的導電片進行說明，但本發明並不限定於此，只要是液晶顯示器(LCD：Liquid Crystal Display)或電漿顯示器(PDP：Plasma Display Panel)或有機電致發光顯示器(OELD：Organic ElectroLuminescence Display)或無機電致發光(EL)顯示器等顯示(面板)裝置的顯示單元上所設置的導電片，則亦可為任何導電片，當然例如亦可為太陽電池等各種電極用導電片、或電磁波屏蔽用的導電片、或車輛的除霜器(defroster)等各種透明發熱體用導電片等。
    [本實施形態]
    本實施形態的導電片10是設置於顯示裝置的顯示單元上且具有如下的配線圖案的導電片，該配線圖案是在抑制顯示單元的黑矩陣(BM：Black Matrix)中的波紋的產生方面優異的配線圖案，尤其是在重疊於BM圖案時，波紋相對於BM圖案而言的視認性方面已最佳化的配線圖案，如圖1A及圖1B所示，上述導電片包括透明基體12(基體)。透明基體12具有絕緣性，且包含透光性高的材料例如樹脂、玻璃(glass)、及矽等材料。作為樹脂，例如可列舉：聚對苯二甲酸乙二醇酯(Polyethylene Terephthalate，PET)、聚甲基丙烯酸甲酯(Polymethyl methacrylate，PMMA)、聚丙烯(Polypropylene，PP)、及聚苯乙烯(Polystyrene，PS)等。
    於透明基體12的一個主面(圖1B的箭頭s1方向側)形成有第1導電部14a。第1導電部14a包括：金屬製的細線(以下，記作金屬細線16。此外，有時記作金屬細線16p、16q、16r、16s)與由開口部18形成的網孔圖案20。金屬細線16例如包含：金(Au)、銀(Ag)或銅(Cu)的線材。考慮到視認性，金屬細線16的線寬較佳為細線寬，例如可選自30 μm以下的線寬，較佳為0.1 μm以上且為15 μm以下，更佳為1 μm以上且為9 μm以下，進而較佳為2 μm以上且為7 μm以下。
    詳細而言，第1導電部14a包括網孔圖案20，該網孔圖案20無間隙地排列有不同的網孔形狀22。換言之，網孔圖案20是各網孔形狀22無規則性(統一性)的隨機的圖案。例如，於圖示例中，網孔圖案20中，附帶影線(hatching)的網孔形狀22為四邊形狀，且由以直線將頂點C1及頂點C2予以連結的金屬細線16p、以直線將頂點C2及頂點C3予以連結的金屬細線16q、以直線將頂點C3及頂點C4予以連結的金屬細線16r、以及以直線將頂點C4及頂點C1予以連結的金屬細線16s形成。根據本圖可知：較佳為網孔形狀22均為至少包括3條邊的多邊形狀，但如下所述，既可為圓形，亦可為橢圓形，如後述的圖13所示，亦可追加其他要素，如圖14所示，不一定為封閉的形狀，亦可存在開放區間。
    以下，本說明書中的「多邊形」不僅包含幾何學上的完美的多邊形，而且亦包含對上述完美的多邊形添加極少的變更而成的「實質性的多邊形」。作為極少的變更的例示，可列舉：與網孔形狀22相比較，添加微小的點要素、線要素，或部分地將構成網孔形狀22的各條邊(金屬細線16)截去等。
    第1保護層26a以將金屬細線16予以包覆的方式，隔著第1黏接層24a而黏接於第1導電部14a的大致整個面。作為第1黏接層24a的材料，可列舉：濕式疊層黏接劑(wet laminating adhesive)、乾式疊層黏接劑(dry laminating adhesive)、或熱熔黏接劑(hot melt adhesive)等。
    與透明基體12同樣地，第1保護層26a包含如下的材料，該材料包含例如樹脂、玻璃、及矽且透光性高。第1保護層26a的折射率n1為與透明基體12的折射率n0相等的值、或接近於該折射率n0的值。於該情形時，相對於第1保護層26a的透明基體12的相對折射率nr1較佳為接近於1的值。
    此處，本說明書中的折射率是指波長為589.3 nm(鈉的D線)的光的折射率，例如對於樹脂而言，上述折射率由國際標準規格即ISO 14782：1999(對應於JIS K 7105)定義。此外，透明基體12相對於第1保護層26a的相對折射率nr1由nr1=(n1/n0)定義。此處，相對折射率nr1只要處於0.86以上且為1.15以下的範圍即可，更佳為處於0.91以上且為1.08以下。
    將相對折射率nr1的範圍限定為上述範圍，對透明基體12與第1保護層26a的構件之間的光的透射率進行控制，藉此可使波紋的視認性進一步提高，從而改善波紋的視認性。
    如上所述，上述導電片10例如使用於液晶元件、無機EL元件、有機EL元件等顯示元件(包含上述元件的顯示面板)、或太陽電池等各種電極。此外，導電片10除了能夠適用於電極用途以外，亦能夠適用於因電流流動而發熱的透明發熱體(例如車輛的除霜器)、及將電磁波阻斷的電磁波屏蔽材料。
    上述實施形態的導電片10僅於透明基體12的一個主面包括第1導電部14a，但本發明並不限定於此，亦可於透明基體12的兩個面包括導電部。如此，將導電片11表示於圖2A及圖2B，該導電片11於透明基體12的兩個主面包括導電部。
    本實施形態的導電片11如圖2A及圖2B所示，於透明基體12的一個主面(圖2B的箭頭s1方向側)上除了形成有第1導電部14a之外，亦形成有第1虛設電極部15a。第1導電部14a及第1虛設電極部15a包括：金屬細線16與由開口部18形成的網孔圖案20。關於適用於觸控面板的導電片11，如上所述，考慮到視認性，金屬細線16的線寬可選自30 μm以下的寬度，較佳為0.1 μm以上且為15 μm以下，更佳為1 μm以上且為9 μm以下，進而較佳為2 μm以上且為7 μm以下。
    此處，第1虛設電極部15a是與第1導電部14a隔開規定間隔地配置。亦即，第1虛設電極部15a處於與第1導電部14a電性絕緣的狀態下。第1保護層26a以將金屬細線16予以包覆的方式，隔著第1黏接層24a而黏接於第1導電部14a及第1虛設電極部15a的大致整個面。
    於本實施形態的導電性膜11中形成有包含多條金屬細線16的虛設電極部15a，該虛設電極部15a既然形成於透明基體12的一個(圖2B的上側)面，亦形成於透明基體12的另一個(圖2B的下側)面，且該虛設電極部15a的多條金屬細線16對應於第2導電部14b的多條金屬細線16，因此，可對透明基體12的一個(圖2B的上側)面中的金屬細線16所引起的散射進行控制，從而可改善電極視認性。
    以下，存在如下的情形，即，將透明基體12的一個主面(圖1B、圖2B的箭頭s1方向側)上所形成的各部分(包含：第1導電部14a、第1虛設電極部15a、第1黏接層24a以及第1保護層26a)總稱為第1積層部28a。
    然而，於透明基體12的另一個主面(圖2B的箭頭s2方向側)上形成有第2導電部14b。與第1導電部14a同樣地，第2導電部14b包括：金屬細線16與由開口部18形成的網孔圖案20。透明基體12包含絕緣性材料，第2導電部14b處於與第1導電部14a及第1虛設電極部15a電性絕緣的狀態下。
    第2保護層26b以將金屬細線16予以包覆的方式，隔著第2黏接層24b而黏接於第2導電部14b的大致整個面。第2黏接層24b的材質可與第1黏接層24a相同，亦可與第1黏接層24a不同。第2保護層26b的材質可與第1保護層26a相同，亦可與第1保護層26a不同。
    第2保護層26b的折射率n2為與透明基體12的折射率n0相等的值、或接近於該折射率n0的值。於該情形時，相對於第2保護層26b的透明基體12的相對折射率nr2為接近於1的值。此處，折射率及相對折射率的定義如上所述。此外，透明基體12相對於第2保護層26b的相對折射率nr2由nr2=(n2/n0)定義。此處，相對折射率nr2與相對折射率nr1同樣地，考慮到藉由對上述兩個構件之間的光的透射率進行控制，使波紋的視認性提高或改善該視認性，只要處於0.86以上且為1.15以下的範圍即可，更佳為0.91以上且為1.08以下。
    以下，存在如下的情形，即，將透明基體12的另一個主面(圖2B的箭頭s2方向側)上所形成的各部分(包含：第2導電部14b、第2黏接層24b以及第2保護層26b)總稱為第2積層部28b。
    與上述導電片10同樣地，如上所述，上述導電片11例如亦可使用於利用了液晶元件、無機EL元件、有機EL元件等顯示元件的觸控面板用電極、太陽電池等各種電極、電磁波屏蔽材料、車輛的除霜器等各種透明發熱體等。
    如此，將上述導電片10及導電片11例如應用於圖3所示的顯示單元30(顯示部)的觸控面板。該顯示單元30亦可包含：液晶面板、電漿面板、有機EL面板、無機EL面板等。
    如將一部分予以省略的圖3所示，顯示單元30是將多個像素32排列為矩陣狀而構成。一個像素32是由3個次像素(紅色次像素32r、綠色次像素32g以及藍色次像素32b)沿著水平方向排列而構成。一個次像素是設為在垂直方向上縱長的長方形狀。像素32的水平方向的排列間距(pitch)(水平像素間距Ph)與像素32的垂直方向的排列間距(垂直像素間距Pv)大致相同。亦即，包含一個像素32與將該一個像素32予以包圍的黑矩陣34(圖案材料)的形狀(參照利用影線來表示的區域36)為正方形。此外，一個像素32的縱橫比(aspect ratio)並非為1，水平方向(橫)的長度>垂直方向(縱)的長度。當將導電片10或導電片11配置於包括上述像素排列的顯示單元30的顯示面板上時，像素32的排列週期與隨機地形成的金屬細線16之間的空間頻率幾乎無干涉，波紋的產生受到抑制。
    接著，一面參照圖4~圖8，一面對裝入有本實施形態的導電片11的顯示裝置40進行說明。此處，例舉投影型靜電容量方式的觸控面板來進行說明。
    以下，以顯示裝置40為代表例來進行說明，該顯示裝置40將圖2A及圖2B所示的導電片11應用於圖3所示的顯示單元30的觸控面板，但本發明並不限定於此，當然亦可為應用有圖1A及圖1B所示的導電片10的顯示裝置。
    如圖4所示，顯示裝置40包括：顯示單元30(參照圖3)，能夠顯示彩色影像(color image)及/或單色影像；觸控面板44，對來自輸入面42(箭頭Z1方向側)的接觸位置進行檢測；以及框體46，收容著顯示單元30及觸控面板44。使用者(user)能夠經由設置於框體46的一個面(箭頭Z1方向側)的大開口部來對觸控面板44進行存取(access)。
    觸控面板44除了包括上述導電片11(參照圖2A及圖2B)之外，亦包括：外罩(cover)構件48，積層於導電片11的一個面(箭頭Z1方向側)；可撓性(flexible)基板52，經由電纜(cable)50而電性連接於導電片11；以及檢測控制部54，配置於可撓性基板52上。
    導電片11隔著黏接層56而黏接於顯示單元30的一個面(箭頭Z1方向側)。導電片11是使另一個主面側(第2導電部14b側)與顯示單元30相對向而配置於顯示畫面上。
    外罩構件48將導電片11的一個面予以包覆，藉此來發揮作為輸入面42的功能。此外，藉由防止接觸體58(例如手指或觸控筆(stylus pen))的直接接觸，能夠抑制擦傷的產生或灰塵的附著等，從而可使導電片11的導電性穩定。
    外罩構件48的材質例如亦可為玻璃、樹脂膜(film)。亦可於已利用氧化矽等來對外罩構件48的一個面(箭頭Z2方向側)進行了塗佈的狀態下，使該外罩構件48的一個面(箭頭Z2方向側)密著於導電片11的一個面(箭頭Z1方向側)。此外，為了防止由摩擦等引起的損傷，亦可將導電片11及外罩構件48貼合。
    可撓性基板52是具有可撓性的電子基板。於本圖例中，上述可撓性基板52固定於框體46的側面內壁，但亦可對配設位置進行各種變更。檢測控制部54構成如下的電子電路，該電子電路於作為導體的接觸體58與輸入面42發生接觸(或靠近輸入面42)時，捕捉接觸體58與導電片11之間的靜電容量的變化，從而檢測出該接觸位置(或接近位置)。
    如圖5A所示，在進行朝向箭頭Z2方向側的平面觀察時，於導電片11的一個主面設置有第1感測器部60a與第1端子配線部62a(所謂的額緣)，上述第1感測器部60a配置於顯示單元30(參照圖3及圖4)的顯示區域，上述第1端子配線部62a(所謂的額緣)配置於顯示區域的外周區域。
    導電片11的外形於平面觀察時具有矩形狀，並且第1感測器部60a的外形亦具有矩形狀。於第1端子配線部62a中的與導電片11的箭頭Y方向呈平行的一邊側的周緣部，在該周緣部的長度方向中央部分，沿著箭頭Y方向排列形成有多個第1端子64a。多個第1結線部66a沿著第1感測器部60a的一條邊(本圖例中為與箭頭Y方向呈平行的邊)大致排列為一行。自各第1結線部66a導出的第1端子配線圖案68a繞向顯示區域的外周區域的第1端子64a，且分別電性連接於對應的第1端子64a。
    於對應於第1感測器部60a的部位，包括由多條金屬細線16(參照圖2A及圖2B)形成的2個以上的第1導電圖案70a(網孔圖案)。第1導電圖案70a分別沿著箭頭X方向(第1方向)延伸，且沿著與箭頭X方向正交的箭頭Y方向(第2方向)排列。此外，各第1導電圖案70a是由2個以上的第1感知部72a沿著箭頭X方向串聯地連接而構成。輪廓為概略菱形狀的各第1感知部72a分別具有相同的輪廓形狀。於鄰接的第1感知部72a之間形成有第1連接部74a，該第1連接部74a電性連接著上述第1感知部72a。更詳細而言，一個第1感知部72a的頂角部經由第1連接部74a而連結於其他第1感知部72a的頂角部，上述其他第1感知部72a在箭頭X方向上鄰接於一個第1感知部72a。
    於各第1導電圖案70a的一個端部側，在第1感知部72a的開放端未形成有第1連接部74a。於各第1導電圖案70a的另一個端部側，在第1感知部72a的端部分別設置有第1結線部66a。而且，各第1導電圖案70a經由各第1結線部66a而電性連接於第1端子配線圖案68a。
    於對應於第1感測器部60a的部位，包括由多條金屬細線16(參照圖2A及圖2B)形成的2個以上的第1虛設圖案76a(網孔圖案)。各第1虛設圖案76a配置於鄰接的第1導電圖案70a彼此的第1間隙部75a(參照圖6)。輪廓為概略菱形狀的第1虛設圖案76a是與各第1導電圖案70a(第1感知部72a及第1連接部74a)隔開規定間隔地配置。與第1感知部72a的一條邊的長度相比較，該間隔(寬度)極小。因此，金屬細線16以大致同樣的密度，布設於第1感測器部60a的整個面。
    為了便於說明，於圖6中，僅詳細地標明了一個第1虛設圖案76a(圖式的中央右部)的各網孔形狀。利用虛線來表示其他第1虛設圖案76a的輪廓，將其他第1虛設圖案76a的內部的形狀予以省略。
    如圖6所示，各第1感知部72a及各第1虛設圖案76a分別是將2個以上的第1網孔要素78a加以組合而構成。與上述網孔形狀22(參照圖2A)同樣地，第1網孔要素78a的形狀為至少包括3條邊的多邊形狀。此外，將鄰接的第1感知部72a之間予以連接的第1連接部74a至少包含一個第1網孔要素78a。
    再者，構成各第1感知部72a及各第1虛設圖案76a的周緣部的第1網孔要素78a可為相位幾何學(拓撲學(topology))上的封閉區域，亦可為開放區域。對於第1連接部74a而言亦相同。
    此外，電性絕緣的第1絕緣部80a分別配置於鄰接的第1導電圖案70a之間。
    此處，第1虛設圖案76a的配線密度與第1導電圖案70a(第1感知部72a及第1連接部74a)的配線密度相等。於該情形時，第1虛設圖案76a的平面區域內的光反射率與第1導電圖案70a的平面區域內的光反射率一致。原因在於：當金屬細線16的線寬固定時，配線密度與光反射率之間存在高相關性。
    再者，於本說明書中，所謂「配線密度相等」，是指如下的概念，該概念不僅包含完全相等的情形，亦包含實質性相等的情形(密度比大致處於0.8~1.2的範圍內)。亦即，光反射率之差只要為無法由人(觀察者)的視覺感知的程度的光反射率之差即可。此外，考慮到測定精度等，金屬細線16的配線密度的測定面積只要為1 mm2以上即可。
    此外，各第1導電圖案70a與各第1虛設圖案76a的相隔距離亦可固定(亦包含大致固定的情形)而與位置無關。藉此，金屬細線16的配線密度接近於相同，因此較佳。
    而且，相對於第1間隙部75a的第1虛設圖案76a的包覆率(配置比例)的較佳範圍大致為30%~95%，更佳的範圍為70%~95%。理由在於：若包覆率不足30%，則對於第2導電圖案70b的金屬細線16所引起的散射的控制不充分，無法充分地改善電極視認性，若包覆率超過95%，則第1虛設圖案76a與第1導電圖案70a的相隔距離過於接近，有可能無法正確地感知，而且兩者的絕緣性有可能變得不充分。
    而且，各第1虛設圖案76a的輪廓可採用包含三角形、矩形、及圓形等的各種形狀。例如，各第1虛設圖案76a的輪廓亦可具有與各第1感知部72a的輪廓的形狀(圖5A的例子中為概略菱形狀)相同或相似的形狀。
    另一方面，如圖5B所示，在進行朝向箭頭Z1方向側的平面觀察時，於導電片11的另一個主面設置有第2感測器部60b與第2端子配線部62b(所謂的額緣)，上述第2感測器部60b配置於顯示單元30(參照圖3及圖4)的顯示區域，上述第2端子配線部62b(所謂的額緣)配置於顯示區域的外周區域。
    導電片11的外形於平面觀察時具有矩形狀，並且第2感測器部60b的外形亦具有矩形狀。於第2端子配線部62b中的與導電片11的箭頭Y方向呈平行的一邊側的周緣部，在該周緣部的長度方向中央部分，沿著箭頭Y方向排列形成有多個第2端子64b。多個第2結線部66b(例如第奇數個第2結線部66b)沿著第2感測器部60b的一條邊(本圖例中為與箭頭X方向呈平行的邊)大致排列為一行。多個第2結線部66b(例如第偶數個第2結線部66b)沿著第2感測器部60b的另一條邊(與一條邊相對向的邊)大致排列為一行。自各第2結線部66b導出的第2端子配線圖案68b繞向顯示區域的外周區域的第2端子64b，且分別電性連接於對應的第2端子64b。
    於對應於第2感測器部60b的部位，包括由多條金屬細線16(參照圖2A及圖2B)形成的2個以上的第2導電圖案70b(網孔圖案)。第2導電圖案70b分別沿著箭頭Y方向(第2方向)延伸，且沿著與箭頭Y方向正交的箭頭X方向(第1方向)排列。此外，各第2導電圖案70b是由2個以上的第2感知部72b沿著箭頭Y方向串聯地連接而構成。輪廓為概略菱形狀的各第2感知部72b分別具有相同的輪廓形狀。於鄰接的第2感知部72b之間形成有第2連接部74b，該第2連接部74b電性連接著上述第2感知部72b。更詳細而言，一個第2感知部72b的頂角部經由第2連接部74b而連結於其他第2感知部72b的頂角部，上述其他第2感知部72b在箭頭Y方向上鄰接於一個第2感知部72b。
    於各第2導電圖案70b的一個端部側，在第2感知部72b的開放端未形成有第2連接部74b。於各第2導電圖案70b的另一個端部側，在第2感知部72b的端部分別設置有第2結線部66b。而且，各第2導電圖案70b經由各第2結線部66b而電性連接於第2端子配線圖案68b。
    再者，第2感測器部60b與第1感測器部60a(參照圖5A及圖6)不同，於鄰接的第2導電圖案70b彼此的第2間隙部75b未配置有虛設圖案。
    如圖7所示，各第2感知部72b分別是將2個以上的第2網孔要素78b加以組合而構成。與上述網孔形狀22(參照圖2A)同樣地，第2網孔要素78b的形狀為至少包括3條邊的多邊形狀。將鄰接的第2感知部72b之間予以連接的第2連接部74b至少包含一個第2網孔要素78b。
    再者，構成各第2感知部72b的周緣部的第2網孔要素78b可為相位幾何學(拓撲學)上的封閉區域，亦可為開放區域。對於第2連接部74b而言亦相同。
    此外，電性絕緣的第2絕緣部80b分別配置於鄰接的第2導電圖案70b之間。
    如圖8所示，在對導電片11進行平面觀察時，成為如下的形態，即，形成於另一個面(箭頭Z2方向側)的第2導電圖案70b是以將形成於一個面(箭頭Z2方向側)的第1導電圖案70a及第1虛設圖案76a的間隙(第1間隙部75a的一部分)予以填埋的方式排列。此外，於第1導電圖案70a的輪廓與第2導電圖案70b的輪廓重疊的平面區域中，兩者的金屬細線16的位置完全一致。而且，於第1虛設圖案76a的輪廓與第2導電圖案70b的輪廓重疊的平面區域中，兩者的金屬細線16的位置完全一致。結果，在對導電片11進行平面觀察時，成為如下的形態，即，鋪滿有多個多邊形(polygon)82(網孔形狀)。
    第1感知部72a(及第2感知部72b)的一條邊的長度較佳為3 mm~10 mm，更佳為4 mm~6 mm。若一條邊的長度不足上述下限值，則當將導電片11應用於觸控面板時，檢測時的第1感知部72a(及第2感知部72b)的靜電容量會減少，因此，發生檢測不良的可能性升高。另一方面，若上述一條邊的長度超過上述上限值，則接觸位置的檢測精度有可能會下降。根據同樣的觀點，多邊形82(第1網孔要素78a、第2網孔要素78b)的一條邊的平均長度如上所述，較佳為100 μm~400 μm，進而較佳為150 μm~300 μm，最佳為210 μm~250 μm以下。當多邊形82的一條邊處於上述範圍時，進而亦可良好地保持透明性，當安裝於顯示單元30的前表面時，可無不協調感地對顯示進行視認。
    返回至圖6，第1連接部74a的寬度w1較佳為0.2 mm~1.0 mm，更佳為0.4 mm~0.8 mm。當w1不足上述下限值時，連接著各第1感知部72a的配線數會減少，因此，電極之間的電阻上升。另一方面，當w1超過上述上限值時，與第2感知部72b重疊的重疊面積會增加，因此，雜訊量增大。再者，對於第2連接部74b(參照圖7)的寬度而言，亦與寬度w1相同。
    第1感知部72a與第2感知部72b的相隔寬度w2較佳為0.1 mm~0.6 mm，更佳為0.2 mm~0.5 mm。當w2不足上述下限值時，伴隨著接觸體58的接觸(或接近)的靜電容量的變化量會減小，因此，信號量下降。另一方面，當w2超過上述上限值時，第1感知部72a的密度下降，因此，感測器的解析度下降。
    接著，一面參照圖9A~圖10C，一面對第1導電部14a、第1虛設電極部15a、以及第2導電部14b的配線形狀的決定例的概況進行說明。演算法的詳情將後述。
    於本實施形態中，根據存在於一個平面區域100內的多個位置來決定網孔圖案20。如圖9A所示，自正方形狀的平面區域100中，隨機地選擇8個種子點(seed point)P1~種子點P8。
    圖9B是表示根據范諾圖(Voronoi diagram)(范諾分割法)來決定配線形狀所得的結果的概略說明圖。藉此，分別劃定8個區域V1~區域V8，該8個區域V1~區域V8分別圍繞著8個種子點P1~種子點P8。此處，范諾圖所劃分的區域Vi(i=1~8)表示種子點Pi為如下的點的集合體，該點為最接近的點。此處，使用歐幾里得(Euclid)距離作為距離函數，但亦可使用各種函數。
    圖9C是表示根據德朗奈圖(Delaunay diagram)(德朗奈三角形分割法)來決定配線形狀所得的結果的概略說明圖。所謂德朗奈三角形分割法，是指如下的方法，即，將種子點P1~種子點P8中的鄰接的點彼此予以連接來劃定三角形狀的區域。藉此，分別劃定8個區域V1~區域V8，該8個區域V1~區域V8以8個種子點P1~種子點P8中的任一個點為頂點。
    如此，決定將圖9B(或圖9C)所示的各邊界線設為金屬細線16且將各區域Vi設為開口部18的配線形狀，亦即，決定使第1導電部14a、第1虛設電極部15a、以及第2導電部14b重合時的各網孔形狀22。再者，配線形狀的決定例並不限定於上述方法，可採用各種方法。例如，對區域進行劃分的各線段不僅可為圖9B及圖9C所例示的直線，而且亦可為曲線及直線與曲線的組合。
    此外，亦可為對如圖13及圖14(A)~圖14(C)所例示的網孔圖案的開口部進行變形所得的形態。
    接著，一面參照圖10A~圖18，一面詳細地對將本發明的導電片10、11的雜訊特性(例如粒狀雜訊)予以量化所得的評價值進行說明。再者，為了以數學理論對網孔圖案20的配線形狀進行評價，必須預先取得使該網孔圖案20的花紋可視化的影像資料。該影像資料Img亦可為使用相機(camera)、掃描器(scanner)等輸入裝置來讀取的導電片10、11的色值資料、或實際用於網孔圖案20的輸出形成的影像資料。較佳為於任一個情形時，影像資料Img均具有如下的程度的高解析度(小像素尺寸)，該程度是指能夠以1個以上的像素來表現金屬細線16的平均線寬的程度。
    再者，基於規定的影像資料Img來實際地製作導電片10、11，結果是存在如下的情形，即，於金屬細線16的交點附近(於多邊形狀的情形時為頂點部)，線變粗。因此，亦可預先考慮上述特性，對影像資料Img進行修正之後，用於以下的評價。
    接著，對評價本發明的圖案特徵的評價值(指標)進行說明。畫質的評價主要是利用波紋、顏色雜訊的視認性的好壞來進行評價。於本發明中，主要可使用適合於評價波紋的視認性的第1評價值、適合於評價顏色雜訊的視認性的第2評價值、及適合於大致等效地評價波紋與顏色雜訊(頻率成分)的第3評價值作為評價值(指標)，關於上述第1評價值、第2評價值及第3評價值，只要根據欲評價的畫質，具體而言只要根據波紋及顏色雜訊的視認性中的任一者或兩者，使用任一個評價值即可，但並不限定於單獨地使用上述評價值，亦可根據評價目的或目標而組合地使用2個以上的評價值。
    [第1評價值]
    首先，對第1評價值進行說明。
    第1評價值是相對於顏色雜訊而言更重視波紋強度的評價值，該評價值是有效果地判斷畫質評價中的波紋為良好(不易被視認出)的指標，當然亦能夠評價顏色雜訊。
    第1評價值EV1是將金屬細線16的配線形狀的空間頻率特性的分散程度予以量化所得的指標。以下，一面參照圖10A~圖11B，一面對第1評價值EV1進行說明。
    圖10A是使表示網孔圖案20的花紋的影像資料Img可視化的概略說明圖。首先，對影像資料Img實施傅里葉變換(例如快速傅里葉變換(Fast Fourier Transformation，FFT)。藉此，可把握網孔圖案20的形狀作為空間頻率分布。
    圖10B是對圖10A的影像資料Img實施FFT所獲得的二維功率頻譜(以下僅稱為頻譜Spc)的分布圖。此處，該分布圖的橫軸表示相對於X軸方向的空間頻率(Ux)，該分布圖的縱軸表示相對於Y軸方向的空間頻率(Uy)。此外，每個空間頻帶的顯示濃度越淡，則強度水準(level)(頻譜的值)越小，顯示濃度越濃，則強度水準越大。於本圖的例子中，上述頻譜Spc的分布為等向性分布，並且具有2個環狀的峰值。
    此處，計算出分別以相當於自原點O算起的距離的徑向空間頻率r{=(Ux2+Uy2)1/2}、偏角θ{=tan-1(Uy/Ux)}為變數且由極座標表示的頻譜Spc的頻譜強度分布函數SPC(r，θ)的(以下亦稱為徑向頻率)，接著計算出上述徑向頻率的統計分布(statistical dispersion)量。
    再者，圖10C表示沿著圖10B所示的功率頻譜分布的XC-XC線的頻譜強度(Power：頻譜的值)，且表示偏角θ為0度(θ=0)時的頻譜強度分布函數SPC(r，0)。
    於圖11A所示的例子中，徑向空間頻率(r)處於固定值下，偏角(θ)處於0度~360度之間，計算出各偏角的徑向頻率{SPC(r，θ)}的變異數(variance)，將該值除以徑向頻率{SPC(r，θ)}的二次方所得的值定義為各向異性{AI(r)}。將橫軸使用徑向空間頻率(r)且縱軸使用各向異性{AI(r)}的常用對數時的標準偏差定義為第1評價值(偏差量)EV1，由如下的式(1)來表示。
    亦即，如下述式(1)所示，網孔圖案20的功率頻譜Spc的沿著角度方向(偏角θ=0度~360度)的標準偏差於將徑向空間頻率設為r，將偏角設為θ時，由各向異性{AI(r)}來表示，各向異性{AI(r)}的由常用對數所表示的值在徑向上的標準偏差是由成為第1評價值的偏差量EV1來表示。再者，對功率(頻譜強度)進行計算的頻譜Spc的取樣數(樣本數)n成為極座標中的固定的徑向空間頻率(r=r0的圓周)上的像素數。
    圖11B是相對於各徑向空間頻率r的各向異性AI(r)的曲線圖。於本圖例中，於約22週期/毫米(cycle/mm)附近的空間頻帶中，存在一個尖銳的峰值。於其他空間頻帶中，具有大致平坦的特性。
    此處，AI(r)表示徑向空間頻率r的徑向頻率的各向異性，SPC(r，θ)為頻譜Spc的徑向頻率(頻譜強度分布函數)，SPCave(r)為頻譜Spc的徑向頻率SPC的沿著角度方向(偏角θ=0度~360度)的平均值，n為徑向頻率SPC的沿著角度方向(偏角θ=0度~360度)的樣本數，AIave為各向異性AI的沿著徑向(徑向空間頻率r=0~nyq(奈奎斯特頻率(Nyquist frequency)))的平均值，m為各向異性AI的沿著徑向(徑向空間頻率r=0~nyq(奈奎斯特頻率))的樣本數。上述式(1)中，偏角θ=0~2π的總和(summation)Σ是表示θ=(2π/n)j時的j=1~n的總和Σ，徑向空間頻率r=0~nyq的總和Σ是表示r=(nyq/m)k時的k=1~m的總和Σ。
    再者，nyq是相對於影像資料Img的奈奎斯特頻率。作為自然數的k(k=1、2、．．、m)相當於等間隔地描繪(plot)零頻率至奈奎斯特頻率的變數。亦即，第1評價值EV1表示各向異性AI(r)在徑向上的標準偏差。
    對於第1評價值EV1而言，當頻譜Spc的值沿著二維頻率空間上的各角度方向分散時，網孔圖案20的各向異性變高。於該情形時，各向異性AI(r)於特定的空間頻率U處具有大峰值，因此，上述式(1)的第1評價值EV1的值增大。
    另一方面，如圖10B的例子般，當沿著各角度方向的頻譜Spc的值均一時，網孔圖案20的各向異性變低。於該情形時，各向異性AI(r)的值減小而與徑向頻率r無關，上述式(1)的第1評價值EV1的值減小。
    亦即，第1評價值EV1表示各向異性AI(r)的徑向的分散，該各向異性AI(r)的徑向的分散表示網孔圖案20的功率頻譜Spc的角度方向的分散。
    於本發明中，根據後述的實例的記載可知：以上述方式表示的第1評價值EV1必須處於0.965以上且為1.065以下的範圍。第1評價值EV1較佳為0.97以上且為1.06以下。
    於本發明中，將第1評價值EV1限定於0.965以上且為1.065以下的範圍的理由在於：若第1評價值EV1不足0.965，則各向異性AI的分散小，且特定頻率成分多，因此，波紋會變的顯眼，若第1評價值EV1超過1.065，則各向異性AI的分散大，且混雜有大量的各種頻率成分，不僅波紋會被視認，而且顏色雜訊成分會成為斑點而被視認。
    [第2評價值]
    接著，對第2評價值進行說明。
    第2評價值(面積分布)是相對於波紋而言更重視顏色雜訊強度的評價值，該評價值是有效果地判斷畫質評價中的顏色雜訊為良好的指標，當然亦能夠評價波紋。
    第2評價值EV2是將開口部18(或網孔形狀22)的面積分布的分散程度予以量化所得的指標。以下，一面參照圖12A~圖14D，一面對第2評價值EV2進行說明。
    圖12A~圖12C是網孔圖案20中的各開口部18所具有的面積(以下，有時稱為開口面積)的直方圖。
    圖12A是金屬細線16的配置形狀的規則性高的網孔圖案20中的開口面積的直方圖的典型例。本直方圖具有將平均值設為Save的標準偏差σ1的高斯分布(Gaussian distribution)。當金屬細線16的配線形狀的規則性高時，開口部18的開口面積存在均一地分布的傾向。當標準偏差σ1的值小時，在重疊地配置於顯示單元30(參照圖4)上的位置關係下，存在容易產生波紋的傾向。
    圖12B是金屬細線16的配置形狀的規則性低的網孔圖案20中的開口面積的直方圖的典型例。本直方圖具有將平均值設為Save的標準偏差σ2的高斯分布。當金屬細線16的配線形狀的規則性低時，開口部18的開口面積存在廣泛地分布的傾向。當標準偏差σ2的值大時，存在容易使觀察者視認出雜訊粒狀感(亦稱為粗糙感)的傾向。此外，構成各像素32的紅色次像素32r、綠色次像素32g、藍色次像素32b的存在比率在每個開口部18中有所不同，因此，存在顯現為顏色雜訊的傾向。
    圖12C是金屬細線16的配置形狀已較佳地被決定的網孔圖案20中的開口面積的直方圖的典型例。本直方圖具有將平均值設為Save的標準偏差σ的高斯分布。將標準偏差σ限定於σ1<σ<σ2的範圍，藉此可同時抑制上述波紋、雜訊粒狀感及顏色雜訊的產生。
    此處，使用各開口部18所佔據的面積Sk(k=1、2、．．．．、N)，且利用如下的式(2)來計算出以開口部18的面積的分布為特徵的第2評價值EV2。
    根據上述式(2)可知：第2評價值EV2對應於標準偏差σ1、σ2、σ(參照圖12A~圖12C)。第2評價值EV2總是取得0以上的值，綜合地考慮波紋、雜訊粒狀感及顏色雜訊的產生，該第2評價值EV2較佳為處於規定範圍內(σ1<EV2<σ2)。
    於本發明中，根據後述的實例的記載可知：如上所述的第2評價值EV2在如上所述的2032 dpi換算時，必須處於110.2像素(0.017 mm2)以上且為240像素(0.038 mm2)以下的範圍內。此外，第2評價值EV2較佳為處於120像素(0.019 mm2)以上且為170像素(0.027 mm2)以下的範圍。
    於本發明中，將第2評價值EV2限定於110.2像素(0.017 mm2)以上且為240像素(0.038 mm2)的範圍的理由在於：若第2評價值EV2不足110.2像素(0.017 mm2)，則分散會視認出顏色雜訊的斑點，而且會視認出如波紋般的斑點，若第2評價值EV2超過240像素(0.038 mm2)，則面積中的分散多，因此，顏色雜訊中的分散過多，對於視認性不利，顏色雜訊會成為斑點而變得顯眼。
    然而，如圖1A、圖2A的例子所示，於鋪滿有多邊形狀的網孔圖案20的情形時，開口部18的各形狀(或各網孔形狀22)唯一地被劃定，因此，容易對上述各形狀的開口面積及第2評價值EV2進行計算。然而，存在如下的情形，即，由於對網孔形狀22實施變形等，開口部18的開口面積不會唯一地被劃定。因此，於本申請案的申請專利範圍及說明書中，為了使第2評價值EV2的定義明確，以如下的方式來定義開口面積。
    圖13A~圖13D是與將其他要素附加至拓撲學上的封閉的開口部18a的區域內所得的事例(第1事例~第3事例)相關的概略說明圖。於上述事例的情形時，預先將形成各封閉區域的要素(線性元素(linear element))予以抽出，將抽出的線性元素以外的要素排除，接著對開口部18的開口面積進行計算。
    如圖13A所示，計算出拓撲學上的封閉的開口部18a的開口面積作為附帶影線的區域的面積。開口部18a具有幾何學上的完美的四邊形狀，因此，唯一地對該開口部18a的開口面積進行計算。
    作為第1事例，考察開口部18b，該開口部18b如圖13B所示，於圖13A所示的開口部18a的一部分(例如中央部)形成有點元素400。於該情形時，計算出開口部18b的開口面積作為排除了點元素400的區域的面積。亦即，與開口部18a(參照圖13A)等效地對待開口部18b。
    作為第2事例，考察開口部18c，該開口部18c如圖13C所示，於圖13A所示的開口部18a的一部分形成有環狀的線性元素402。於該情形時，計算出開口部18c的開口面積作為排除了線性元素402的區域的面積。亦即，與開口部18a(參照圖13A)等效地對待開口部18c。
    作為第3事例，考察開口部18d，該開口部18d如圖13D所示，包括線性元素404(所謂的毛刺)，該線性元素404(所謂的毛刺)與圖13A所示的開口部18a的邊界線(於本圖例中為四邊形的一條邊)交叉，且朝該邊界線的內側突出。於該情形時，計算出開口部18d的開口面積作為排除了線性元素404的區域的面積。亦即，與開口部18a(參照圖13A)等效地對待開口部18d。
    圖14A~圖14D是與在拓撲學上開放且未構成網孔形狀22的事例(第4事例~第6事例)相關的概略說明圖。於上述事例的情形時，對圍繞著開口部18的各線補充最短的假想線，藉此來劃定封閉區域(以下稱為假定區域)，計算出該假定區域的面積作為開口部18的開口面積。
    然而，定義為只有當補充的假想線的長度的總和為對假定區域進行劃定的邊界線的全長的20%以下時，才能夠計算出開口面積。原因在於：當補充的假想線的長度的總和超過對假定區域進行劃定的邊界線的全長的20%時，已無法確定各開口部18。
    作為第4事例，如圖14A所示，圍繞著開口部18e的線具有開口部18a(參照圖13A)的邊界線的一部分缺損所得的形狀。於該情形時，如圖14B所示，將最短路徑(亦即直線狀的假想線410)補充於第1端點406與第2端點408之間，藉此來劃定具有與開口部18a(參照圖13A)相同的形狀的假定區域412。因此，計算出開口部18e的開口面積作為假定區域412的面積。亦即，與開口部18a(參照圖13A)等效地對特開口部18e。
    作為第5事例，如圖14C所示，圍繞著開口部18f的線具有圓周的一部分缺損所得的圓弧形狀。於該情形時，將最短距離(亦即直線狀的假想線418)補充於第1端點414與第2端點416之間，藉此來劃定假定區域420。因此，計算出開口部18f的開口面積作為假定區域420的面積。
    作為第6事例，如圖14D所示，開口部18g為包夾於一對平行線的開放區域。於該情形時，補充分別連結著各平行線的端點的假想線422、424，藉此來劃定矩形狀的假定區域426。然而，由於補充的假想線422、424的長度的總和超過對假定區域426進行劃定的邊界線的全長的20%，因此，設為無法計算出開口面積，且自第2評價值EV2的計算中排除。
    [第3評價值]
    接著，對第3評價值進行說明。
    第3評價值(重心位置)適合於大致等效地評價波紋與顏色雜訊(頻率成分)，該評價值是有效果地判斷波紋、顏色雜訊均良好的指標。
    第3評價值EV3是將網孔形狀22的重心位置的分散程度予以量化所得的評價值。以下，一面參照圖15~圖18，一面對第3評價值EV3進行說明。
    如圖15所示，對於與圖9B相同的平面區域100，使用上述范諾圖來劃定多邊形狀的各區域V1~區域V8。再者，分別屬於各區域V1~區域V8內的各點C1~點C8表示各區域的幾何學上的重心位置。
    圖16是表示本實施形態的網孔圖案20、與各網孔形狀22的重心位置的關係的概略說明圖。
    圖17A是使如下的影像資料(以下稱為「重心影像資料Imgc」)可視化的概略說明圖，該影像資料表示圖16的網孔圖案20所具有的各網孔形狀22的重心位置的分布(以下稱為「重心位置分布C」)。根據本圖可知：於重心位置分布C中，各重心位置彼此不重複地適度地分散。
    圖17B是對圖17A的重心影像資料Imgc實施FFT所獲得的二維功率頻譜(以下稱為「重心頻譜Spcc」)的分布圖。此處，該分布圖的橫軸表示相對於X軸方向的空間頻率(Ux)，該分布圖的縱軸表示相對於Y軸方向的空間頻率(Uy)。此外，每個空間頻帶的顯示濃度越淡，則強度水準(頻譜的值)越小，顯示濃度越濃，則強度水準越大。於本圖的例子中，上述重心頻譜Spcc的分布為等向性分布，並且具有1個環狀的峰值。
    圖17C是沿著圖17B所示的重心頻譜Spcc的分布的XVIIC-XVIIC線的剖面圖。重心頻譜Spcc為等向性頻譜，因此，圖17C相當於相對於全部的角度方向的徑向分布。根據本圖可知：低空間頻帶中的強度水準減小，於中間的空間頻帶中具有寬度大的峰值。而且，具有所謂的高通(highpass)型的特性，即，相對於低空間數端數帶域，高空間頻帶中的強度水準升高。亦即，根據影像工學領域的技術用語，圖17A所示的重心影像資料Imgc可謂是表示具有「藍雜訊(blue noise)」的特性的花紋的重心影像資料。
    再者，為了決定導電片10、11中的重心位置分布C，必須劃定開口部18的各區域。此處，根據與第2評價值EV2的計算(參照圖13A~圖14D)相同的定義來劃定各區域。
    圖18A及圖18B是模式性地表示與沿著規定方向配置的各重心位置相關的相對於規定方向的垂直方向的位置的標準偏差的計算方法的說明圖。
    如圖18A所示，首先，自重心位置分布C中，任意地選擇作為初始位置的重心位置Pc1。接著，選擇自重心位置Pc1算起的距離最近的重心位置Pc2。接著，自除了已選擇的重心位置Pc1以外的剩餘的重心位置分布C中，選擇最靠近重心位置Pc2的重心位置Pc3。以下，同樣地分別選擇在統計上足夠多的N個重心位置(於本圖例中，為了便於說明，上述N個重心位置為9個點的重心位置Pc1~重心位置Pc9)。然後，求出重心位置Pc1~重心位置Pc9的迴歸線(regression line)，將該直線定義為基準軸430。亦可使用包含最小平方法的各種眾所周知的分析方法來決定上述迴歸線。
    如圖18B所示，分別設定基準軸430(於本圖中標明為X'軸)及與該基準軸430正交的交叉軸432(於本圖中標明為Y'軸)。接著，對與沿著X'軸方向(規定方向)配置的重心位置Pc1~重心位置Pc9相關的相對於Y'軸方向(正交方向)的位置的標準偏差進行計算。
    以下，自重心位置分布C中，隨機地選擇重心位置Pc1(初始位置)，將對標準偏差進行計算的試驗反覆M次。以下，將第m(m=1、2、．．．．、M)次的試驗所獲得的標準偏差的值標明為STD(m)。利用如下的式(3)來對STD(m)進行計算。
    [數3]
    此處，Ymk'相當於在第m次試驗中，利用X'Y'座標系來表現時的第k個重心位置Pck的Y'座標。Yave'是第m次試驗中的重心位置Pck的Y'座標的平均值，N為取樣數。根據上述式(3)可知：STD(k)總是取得0以上的值，且越接近於0，則雜訊特性越良好。
    接著，使用每次試驗所獲得的STD(m)及這些STD(m)的平均值STDave，且利用如下的式(4)來對第3評價值EV3進行計算。
    根據上述式(4)可知：第3評價值EV3總是取得0以上的值，且越接近於0，則重心位置分布C的規則性越高。當重心位置分布C為規則性(例如週期性)分布時，STD的值大致固定而與初始位置Pc1的選擇結果無關。結果，每次試驗的STD(m)的分散減小，第3評價值EV3的值減小。於該情形時，重心位置分布C的規則性高，因此，存在如下的傾向，即，各開口部18的配置位置、與各像素32(紅色次像素32r、綠色次像素32g以及藍色次像素32b)的配置位置產生同步(干涉)，且顯現為波紋，而且有可能亦會顯現雜訊粒狀感或顏色雜訊。
    另一方面，當如圖17A的例子般，具有適度地分散的重心位置分布C時，標準偏差的值與初始位置Pc1的選擇結果相依而發生變化。結果，每次試驗的STD(m)的值分散，第3評價值EV3的值變大。於該情形時，重心位置分布C的規則性低，因此，各開口部18的配置位置、與各像素32(紅色次像素32r、綠色次像素32g以及藍色次像素32b)的配置位置不產生同步(干涉)，波紋或顏色雜訊受到抑制。
    於本發明中，根據後述的實例的記載可知：如上所述的第3評價值EV3在如上所述的2032 dpi換算時，必須為1.2像素(15.0 μm)以上。此外，第3評價值EV3較佳為4.37像素(54.62 μm)以上。
    於本發明中，將第3評價值EV3限定於1.2像素(15.0 μm)以上的範圍的理由在於：若第3評價值EV3不足1.2像素(15.0 μm)，則重心位置分布的規則性高，因此，各開口部18的配置位置與各像素32的配置位置產生同步(干涉)，波紋成分增強而顯現為波紋，且雜訊粒狀感或顏色雜訊亦有可能會顯現。
    再者，於本發明中，第3評價值EV3的上限值並無特別的限制，但考慮到實用性，較佳為50像素(625 μm)以下。
    如此，可使用第1評價值EV1{參照上述式(1)}、第2評價值EV2{參照上述式(2)}及第3評價值EV3{參照上述式(3)及上述式(4)}，對導電片10、11的雜訊特性進行各種量化，從而可適當地對透過導電片10、11的影像的畫質進行評價。因此，第1評價值EV1、第2評價值EV2以及第3評價值EV3均可稱為畫質評價值。
    接著，一面參照圖19A~圖20B，一面詳細地對如下的作用效果進行說明，該作用效果是藉由將透明基體12相對於第1保護層26a的相對折射率nr1設為接近於1的值而獲得的作用效果。為了易於理解，將導電片11的一部分的構成予以省略，且僅標明透明基體12、第1導電部14a以及第1保護層26a。
    如圖19A所示，自顯示單元30(參照圖4)側照射出的平行光102射入至透明基體12的內部，且沿著箭頭Z1方向前進。接著，平行光102於透明基體12與金屬細線16的第1界面104上，作為反射成分106而大致全部朝箭頭Z2方向反射。亦即，根據作為非透光性材料的金屬細線16的有無，透過導電片11的光量之差變大。結果，與網孔圖案20的形狀相對應的濃淡變得顯著，從而容易產生波紋。相對於此，於使用有透光性高的導電性材料(典型而言為ITO)的導電片的情形時，幾乎不會受到上述影響。
    以下，使用圖19B及圖19C，對透明基體12與第1保護層26a的折射率差大時，即，相對折射率nr1偏離1時的光學現象進行說明。
    如圖19B所示，相對於箭頭Z1方向稍微傾斜地射入的光(斜入光108)射入至透明基體12的內部，且前進至第1導電部14a(開口部18)與第1保護層26a的第2界面110為止。接著，藉由第2界面110的折射現象，斜入光108的一部分的光(前進成分112)透過該第2界面110，並且剩餘的光(反射成分114)被反射。此時，由於相對折射率nr1偏離1，因此，界面透射率下降，前進成分112(或反射成分114)的光量相對地減少(或增加)。
    例如，如圖19C所示，於對應於開口部18的位置，I=Iw的光量透過導電片11而被檢測，於對應於金屬細線16的位置，I=Ib的光量透過導電片11而被檢測。於該情形時，以開口部18處的檢測光量為基準，利用△D1=-log(Ib/Iw)來表示由金屬細線16引起的光學濃度。
    接著，使用圖20A及圖20B，對透明基體12與第1保護層26a的折射率差小時，即，相對折射率nr1為接近於1的值時的光學現象進行說明。
    當相對折射率nr1為接近於1的值時，根據光學考察可容易地導出：界面透射率接近於1(界面反射率接近於0)。因此，與圖19B的情形相比較，前進成分116(或反射成分118)的光量相對地增加(或減少)。換言之，無散射地於透明基體12內部通過的光量均增加，而與包含非透光性材料的金屬細線16的位置無關。以下，為了便於說明，檢測光量僅增加了ε(正值)。
    此時，如圖20A及圖20B所示，於對應於開口部18的位置，I=Iw+ε的光量透過上述導電片11而被檢測，於對應於金屬細線16的位置，I=Ib+ε的光量透過上述導電片11而被檢測。以開口部18處的檢測光量為基準，利用△D2=-log{(Ib+ε)/(Iw+ε)}來表示由金屬細線16引起的光學濃度。
    當Iw>Ib≧0且ε>0時，滿足(Ib/Iw)<(Ib+ε)/(Iw+ε)的不等式，因此，△D1>△D2的關係總是成立。亦即，將透明基體12及第1保護層26a的相對折射率nr1設為接近於1的值，藉此可使由金屬細線16引起的光學濃度的反差減少。藉此，在對顯示裝置40進行平面觀察時，金屬細線16的花紋不易被使用者視認。
    再者，不僅透明基體12與第1保護層26a的關係與上述相同，而且透明基體12與第2保護層26b的關係亦與上述相同。此外，若相對折射率nr1、nr2為0.86~1.15則較佳，若相對折射率nr1、nr2為0.91~1.08則更佳。尤其若第1保護層26a及/或第2保護層26b為與透明基體12相同的材料，則nr1=1(nr2=1)，因此，進而更佳。
    如此，將透明基體12相對於第1保護層26a的相對折射率nr1、及/或透明基體12相對於第2保護層26b的相對折射率nr2設為0.86~1.15，因此，相對於透明基體12的法線方向(箭頭Z1方向)稍微傾斜地射入的光(斜入光108)中，在透明基體12與第1保護層26a的界面、及/或透明基體12與第2保護層26b的界面中前進的光量(前進成分116)相對地增加。亦即，無散射地於透明基體12內部通過的光量均增加，而與包含非透光性材料的金屬細線16的位置無關。藉此，能夠使由金屬細線16引起的光學濃度的反差減少，使該反差不易被觀察者(使用者)視認。尤其，無間隙地排列有不同的網孔形狀22的網孔圖案20可抑制雜訊粒狀感的產生，因此，更有效果。再者，當然不僅可在各網孔形狀22為多邊形狀時獲得上述作用效果，而且即便在各網孔形狀22為各種形狀時，亦可獲得上述作用效果。
    亦即，於本發明中，所謂將透明基體12相對於第1保護層26a的相對折射率nr1、及/或透明基體12相對於第2保護層26b的相對折射率nr2限定於0.86~1.15的範圍內，是指限定對於波紋/顏色雜訊的視認性有效果的相對折射率的較佳範圍。
    接著，一面參照圖21A~圖22C，一面對藉由將第1虛設圖案76a設置於導電片11而獲得的作用效果進行說明。以下，為了易於理解，將第1保護層26a等構成予以省略，並且由光的折射效果產生的影響極小，對光學現象進行說明。
    圖21A是先前例的第1感測器部120的概略平面圖。第1感測器部120僅包含第1導電圖案70a，且具有缺少第1虛設圖案76a(參照圖5A及圖6)的形態。
    圖21B是表示射入至第1感測器部120的外光122的路徑的概略說明圖。本圖相當於圖21A所示的第1導電圖案70a的邊界Bd附近的概略剖面圖。
    位置P1相當於在第1導電部14a及第2導電部14b處均不存在金屬細線16的位置。自顯示裝置40(參照圖4)的外部照射出的外光122射入至導電片11的內部，沿著箭頭Z2方向大致平行地前進。接著，外光122朝箭頭Z2方向，大致全部透過開口部18與透明基體12的第1界面104。此時，透射光的一部分作為前進成分124而沿著箭頭Z2方向前進，並且剩餘的一部分作為散射成分126而散射。然後，前進成分124朝箭頭Z2方向，大致全部透過透明基體12與開口部18的第3界面128。透射光的一部分作為前進成分130而沿著箭頭Z2方向前進，並且剩餘的一部分作為散射成分132而散射。結果，照射至位置P1的外光122中的大部分放出至導電片11的箭頭Z2方向側。
    位置P2相當於在第1導電部14a處存在金屬細線16，且在第2導電部14b處不存在金屬細線16的位置。自顯示裝置40(參照圖4)的外部照射出的外光122於第1導電部14a(作為非透光性材料的金屬細線16)的表面上，作為反射成分134而大致全部朝箭頭Z1方向反射。
    位置P3相當於在第1導電部14a處不存在金屬細線16，且在第2導電部14b處存在金屬細線16的位置。自顯示裝置40(參照圖4)的外部照射出的外光122射入至導電片11的內部，沿著箭頭Z2方向大致平行地前進。接著，外光122朝箭頭Z2方向，大致全部透過第1界面104。此時，透射光的一部分作為前進成分124而沿著箭頭Z2方向前進，並且剩餘的一部分作為散射成分126而散射。接著，前進成分124於第3界面128(作為非透光性材料的金屬細線16的表面)上，作為反射成分135而大致全部朝箭頭Z1方向反射。然後，反射成分135沿著箭頭Z1方向而於透明基體12內部前進，接著朝箭頭Z1方向，大致全部透過第1界面104。結果，照射至位置P3的外光122中的一部分作為前進成分136(或散射成分137)而放出至導電片11的外側(箭頭Z1方向側)。
    如此，已知：位置P2處的反射光量Ir(反射光134)比位置P3處的反射光量Ir(前進成分136)更多。原因在於到達金屬細線16的位置為止的光路長度的差異(相當於透明基體12的厚度的2倍的值)。
    圖21C是表示圖21A的第1感測器部120中的反射光的強度分布的曲線圖。曲線圖的橫軸表示箭頭X方向的位置，曲線圖的縱軸表示反射光的強度(反射光量Ir)。該反射光量Ir是指與箭頭X方向的位置無關的同樣的外光122射入時，反射至導電片11的一個面側(箭頭Z1方向側)的光量。
    結果，於在第1感測器部120處不存在第1導電圖案70a的位置，反射光量Ir取得極小值(Ir=I1)。此外，於在第1感測器部120處存在第1導電圖案70a的位置，反射光量Ir取得極大值(Ir=I2)。亦即，反射光量Ir具有與第1感知部72a的規則性配置相對應的特性，換言之，具有使極小值(I1)及極大值(I2)交替地反覆出現的週期性特性。
    相對於此，於使用有透光性高的導電性材料(典型而言為ITO)的導電片的情形時，反射光量Ir大致等於0(I1=I2=0)。因此，幾乎無由第1導電圖案70a的有無引起的反差(contrast)(亮度差)。亦即，與將金屬細線16應用於第1導電圖案70a的情形相比較，幾乎不會受到上述影響。
    另一方面，圖22A是本實施形態的第1感測器部60a(參照圖5A及圖6)的概略平面圖。第1感測器部60a包含第1導電圖案70a及第1虛設圖案76a。
    圖22B是表示射入至第1感測器部60a的外光122的路徑的概略說明圖。本圖相當於圖22A所示的第1導電圖案70a的邊界Bd附近的概略剖面圖。
    對應於位置P1的位置Q1與圖21B相同，因此，不進行說明。對於對應於位置P2的位置Q2而言亦相同。
    於對應於位置P3的位置Q3，自顯示裝置40(參照圖4)的外部照射出的外光122於第1虛設電極部15a(作為非透光性材料的金屬細線16)的表面上，作為反射成分138而大致全部朝箭頭Z1方向反射。亦即，導電片11以與位置Q2相同的程度，對外光122進行反射而與第2導電部14b中的金屬細線16的有無無關。
    結果，如圖22C所示，反射光量Ir具有設為Ir=I2的同樣的特性而與第1感知部72a的規則性配置無關。再者，出現了如下的傾向，即，於第1導電部14a與第1虛設電極部15a的相隔部，反射光量Ir稍微(ε)減少。藉由使該相隔部的寬度減小，第1感知部72a的形狀更不易被視認。
    如上所述，使鄰接的第1導電圖案70a彼此的第1間隙部75a中所配置的第1虛設圖案76a的配線密度，與第1導電圖案70a的配線密度相等，因此，相對於來自一個主面側的外光122的第1虛設圖案76a的平面區域內的光反射率，與第1導電圖案70a的平面區域內的光反射率大致一致。亦即，能夠使反射光(反射成分134、138)的強度分布接近於相同，而與第1感知部72a的規則性配置無關。藉此，即便為如下的構成，即，於透明基體12的兩個面形成有包含金屬細線16的電極，亦可抑制第1感知部72a(或第2感知部72b)因作為反射光源的外光122而被視認。
    圖23是製造本實施形態的導電片10、11的製造裝置310的概略構成方塊圖。
    製造裝置310基本包括：影像產生裝置312，製成表示與網孔圖案20相對應的花紋(配線形狀)的影像資料Img(包含輸出用影像資料ImgOut)；第1光源148a，為了使由影像產生裝置312製成的輸出用影像資料ImgOut所表示的花紋具體化，將第1光144a照射至製造步驟下的導電片(感光材料140；參照圖35A)的一個主面而進行曝光；第2光源148b，基於輸出用影像資料ImgOut來將第2光144b照射至感光材料140的另一個主面而進行曝光；輸入部320，將用以製成影像資料Img的各種條件(包含網孔圖案20或黑矩陣34的視認資訊)輸入至影像產生裝置312；以及顯示部322，顯示對輸入部320的輸入作業進行輔助的圖形化使用者介面(Graphical User Interface，GUI)影像、或記憶的輸出用影像資料ImgOut等。
    影像產生裝置312包括：記憶部324，記憶著影像資料Img、輸出用影像資料ImgOut、候補點SP的位置資料SPd、及種子點SD的位置資料SDd；亂數產生部326，產生偽亂數(Pseudorandom number)而產生亂數值；初始位置選擇部328，使用亂數產生部326所產生的亂數值，自規定的二維影像區域中選擇種子點SD的初始位置；更新候補位置決定部330，使用亂數值，自二維影像區域中決定候補點SP的位置(種子點SD的位置除外)；影像截取部332，自輸出用影像資料ImgOut分別截取第1影像資料及第2影像資料(後述)；以及顯示控制部334，進行將各種影像顯示於顯示部322的控制。
    種子點SD包含：並非為更新對象的第1種子點SDN、與作為更新對象的第2種子點SDS。換言之，種子點SD的位置資料SDd包含：第1種子點SDN的位置資料SDNd、與第2種子點SDS的位置資料SDSd。
    再者，包含中央處理單元(Central Processing Unit，CPU)等且未圖示的控制部將記錄於記錄媒體(未圖示的唯讀記憶體(Read Only Memory，ROM)或記憶部324)的程式予以讀出並執行，藉此能夠實現與上述影像處理相關的各控制。
    影像產生裝置312更包括：影像資訊推定部336，基於自輸入部320輸入的視認資訊(詳情後述)，推定出與網孔圖案20相對應的影像資訊；影像資料製成部338，基於自影像資訊推定部336供給的影像資訊及自記憶部324供給的種子點SD的位置，製成表示與網孔圖案20相對應的花紋的影像資料Img；網孔花紋評價部340(評價值計算部)，基於影像資料製成部338所製成的影像資料Img，計算出用以對網孔形狀22的花紋進行評價的評價值EVP；以及資料更新指示部342(影像資料決定部)，基於網孔花紋評價部340所計算出的評價值EVP，指示對種子點SD及評價值EVP等資料進行更新/不更新，或可否決定輸出用影像資料ImgOut。
    以下，一面主要參照圖24的流程圖及圖23的構成方塊圖，一面對用於網孔圖案20的輸出形成的影像資料的製成方法進行說明。
    於步驟S1中，輸入部320將決定網孔圖案20的配線形狀時所必需的各種資訊予以輸入。作業者經由顯示部322而將與網孔圖案20的視認性相關的視認資訊予以輸入。網孔圖案20的視認資訊為有助於網孔圖案20的形狀或光學濃度的各種資訊，例如亦可包含金屬細線16的材質、色值、光透射率、光反射率、剖面形狀以及粗度中的至少一個資訊。此外，亦可包含透明基體12的材質、色值、光透射率、光反射率、以及膜厚中的至少一個資訊。
    接著，影像資訊推定部336基於自輸入部320輸入的各種資訊，推定出與網孔圖案20相對應的影像資訊。例如，可基於網孔圖案20的縱尺寸與輸出用影像資料ImgOut的影像解析度，對輸出用影像資料ImgOut的縱方向的像素數進行計算。此外，可基於配線的寬度與影像解析度，對相當於金屬細線16的線寬的像素數進行計算。而且，可基於金屬細線16的光透射率、透明基體12的光透射率、作為目標的整體透射率、以及配線的寬度，推定出開口部18的個數，並且推定出種子點SD的個數。
    接著，製成輸出用影像資料ImgOut(步驟S2)。在對輸出用影像資料ImgOut的製成方法進行說明之前，先對影像資料Img的評價方法進行說明。於本實施形態中，基於將雜訊特性(例如粒狀雜訊)予以量化所得的評價值EVP來進行評價。
    圖25是表示人的標準視覺響應特性的一例的曲線圖。
    於本實施形態中，使用明視狀態下的觀察距離為300 mm的杜利肖(Dooley-Shaw)函數作為人的標準視覺響應特性。杜利肖函數是一種視覺轉移函數(Visual Transfer Function，VTF)，且是模仿人的標準視覺響應特性的代表性的函數。具體而言，相當於亮度的對比度(contrast ratio)特性的二次方值。再者，曲線圖的橫軸為空間頻率(單位：週期/毫米(cycle/mm))，縱軸為VTF的值(單位無因次)。
    若將觀察距離設為300 mm，則存在如下的傾向，即，於0~1.0週期/毫米的範圍內，VTF的值固定(等於1)，VTF的值隨著空間頻率的升高而逐步減小。亦即，上述函數作為將中空間頻帶~高空間頻帶阻斷的低通濾波器(lowpass filter)而發揮功能。
    再者，實際的人類視覺響應特性於0週期/毫米附近成為小於1的值，且具有所謂的帶通濾波器(bandpass filter)的特性。然而，於本實施形態中，如圖25所例示，即便為極低的空間頻帶，亦可將VTF的值設為1，藉此使對於評價值EVP的幫助程度提高。藉此，可獲得如下的效果，該效果抑制由網孔圖案20的反覆配置引起的週期性。
    當將頻譜Spc的值設為F(Ux，Uy)時，利用如下的式(5)來對基準評價值EV0進行計算。
    根據維納欣欽(Wiener-Khintchine)定理，於全空間頻帶中對頻譜Spc進行積分所得的值與RMS的二次方值一致。如下的值成為與人的視覺特性大致一致的評價指標，上述值是將VTF乘以上述頻譜Spc，接著於全空間頻帶中對該新的頻譜Spc進行積分所得的值。上述評價值EVP可稱為利用人類視覺響應特性來進行修正的RMS。與通常的RMS同樣地，評價值EVP總是取得0以上的值，且可以說越接近於0，則雜訊特性越良好。
    除了使用基準評價值EV0之外，亦可使用上述第1評價值EV1、第2評價值EV2以及第3評價值EV3來計算評價值EVP。
    例如，亦可一次性將A計為10分，將B計為8分，將C計為5分，將D計為0分等，對EV1、EV2、EV3等評價值計分，計算出分數的總和作為總分(total score)。
    而且，亦可利用各種統計值，將與角度方向的頻譜Spc(第1評價值EV1)、各開口部18的面積分布(第2評價值EV2)或沿著規定方向的重心位置(第3評價值EV3)相關的分散程度予以量化。所謂「統計值」，是指使用統計學的方法而計算出的計算值，例如除了可為標準偏差(RMS)之外，亦可為平均值、眾數值(mode value)、中心值、最大值、及最小值等。此外，亦可於進行如直方圖(histogram)等的統計處理之後，根據該直方圖的形狀等來將分散程度予以量化。
    以下，對如下的具體方法進行說明，該具體方法是基於上述評價值EVP來決定輸出用影像資料ImgOut的方法。例如可使用依序反覆地進行如下步驟的方法，上述步驟是指製成包含多個種子點SD的點圖案，基於多個種子點SD來製成影像資料Img，以及利用評價值EVP來進行評價。此處，決定多個種子點SD的位置的演算法(algorithm)可採用各種最佳化方法。例如，作為決定點圖案的最佳化問題，可使用構成的演算法或疊代改善演算法等各種搜尋演算法(search algorithm)。作為具體例，可列舉：類神經網路(neural network)、基因演算法(genetic algorithm)、模擬退火法、以及空隙簇團法(void and cluster method)等。
    於本實施形態中，一面主要參照圖26的流程圖、圖23的功能方塊圖，一面對利用模擬退火法(Simulated Annealing；以下稱為SA法)的網孔圖案20的花紋的最佳化方法進行說明。再者，SA法是模仿「退火法」的概率性搜尋演算法，該「退火法」是於高溫狀態下對鐵進行敲打，藉此獲得堅硬的鐵。
    於步驟S21中，初始位置選擇部328選擇種子點SD的初始位置。於選擇初始位置之前，先由亂數產生部326使用偽亂數的產生演算法來產生亂數值。接著，初始位置選擇部328使用自亂數產生部326供給的亂數值，隨機地決定種子點SD的初始位置。此處，初始位置選擇部328選擇種子點SD的初始位置作為影像資料Img上的像素的位址(address)，且分別設定為種子點SD彼此不重複的位置。
    於步驟S22中，影像資料製成部338製成作為初始資料的影像資料ImgInit。影像資料製成部338基於自記憶部324供給的種子點SD的個數或位置資料SDd、以及自影像資訊推定部336供給的影像資訊，製成表示與網孔圖案20相對應的花紋的影像資料ImgInit(初始資料)。
    於製成影像資料Img(包含影像資料ImgInit)之前，預先決定像素的位址及像素值的定義。
    圖27A是表示影像資料Img中的像素位址的定義的說明圖。例如，像素尺寸為10 μm，影像資料的縱橫的像素數分別設為8192個。為了便於進行後述的FFT的運算處理，以成為2的冪(例如2的13次方)的方式進行設置。此時，影像資料Img的整個影像區域對應於約82 mm見方的矩形區域。
    圖27B是表示影像資料Img中的像素值的定義的說明圖。例如，將每一個像素的灰階數設為8位元(bit)(256灰階)。預先使光學濃度0與像素值0(最小值)相對應，且使光學濃度4.5與像素值255(最大值)相對應。對於上述像素值的中間的像素值1~254而言，預先以相對於光學濃度呈線性關係的方式來決定值。再者，像素值的定義不僅為光學濃度，而且亦可為三激值(tristimulus value)XYZ或RGB、L＊a＊b＊等的色值。
    如此，影像資料製成部338基於影像資料Img的資料定義、與影像資訊推定部336所推定出的影像資訊，製成與網孔圖案20相對應的影像資料ImgInit(步驟S22)。
    影像資料製成部338使用以種子點SD的初始位置(參照圖28A)為基準的各種區域決定演算法(例如范諾圖、德朗奈圖等)，決定圖28B所示的網孔圖案20的初始狀態。
    然而，當影像資料Img的尺寸極大時，用於最佳化的運算處理量非常大，因此，需要影像產生裝置312的處理能力及處理時間。此外，由於影像資料Img(輸出用影像資料ImgOut)的尺寸變大，因此，亦需要儲存該影像資料Img的記憶體(memory)容量。因此，如下的方法有效果，該方法是規則地對滿足規定的邊界條件的單位影像資料ImgE進行配置，藉此使影像資料Img具有重複形狀。以下，一面參照圖29及圖30，一面詳細地對上述具體方法進行說明。
    圖29是表示單位區域90的端部的花紋的決定方法的概略說明圖。圖30是表示規則地對單位影像資料ImgE進行排列而製成影像資料Img所得的結果的概略說明圖。
    如圖29所示，於概略正方形狀的單位區域90中，在右上角部、左上角部、左下角部、以及右下角部分別配置有點P11~點P14。為了便於說明，僅標明了存在於單位區域90內的4個點即點P11~點P14，將其他點予以省略。
    尺寸與單位區域90相同的假想區域92(由虛線表示)鄰接地配置於單位區域90的右方。假想點P22以與單位區域90內的點P12的位置相對應的方式，配置於假想區域92上。此外，尺寸與單位區域90相同的假想區域94(由虛線表示)鄰接地配置於單位區域90的右上方。假想點P23以與單位區域90內的點P13的位置相對應的方式，配置於假想區域94上。而且，尺寸與單位區域90相同的假想區域96(由虛線表示)鄰接地配置於單位區域90的上方。假想點P24以與單位區域90內的點P14的位置相對應的方式，配置於假想區域96上。
    以下，影像資料製成部338於上述條件下，根據范諾圖(分割法)來決定單位區域90的右上角部的花紋(配線形狀)。
    根據點P11與假想點P22的關係，決定一條劃分線97，該一條劃分線97是自上述兩個點算起的距離相等的點的集合。此外，根據點P11與假想點P24的關係，決定一條劃分線98，該一條劃分線98是自上述兩個點算起的距離相等的點的集合。而且，根據假想點P22與假想點P24的關係，決定一條劃分線99，該一條劃分線99是自上述兩個點算起的距離相等的點的集合。藉由上述劃分線97~劃分線99來劃定單位區域90的右上角部的花紋。同樣地，遍及單位區域90的全部端部地劃定花紋。以下，將以上述方式製成的單位區域90內的影像資料稱為單位影像資料ImgE。
    如圖30所示，朝相同方向且朝縱方向及橫方向，規則地對單位影像資料ImgE進行排列，藉此於平面區域100內製成影像資料Img。根據圖29所示的邊界條件來決定花紋，因此，可分別無接縫地將單位影像資料ImgE的上端與下端之間、及單位影像資料ImgE的右端與左端之間予以連結。
    根據上述構成，能夠使單位影像資料ImgE實現小尺寸化，且可使運算處理量及資料尺寸減小。此外，不會產生由接縫的失配引起的波紋。再者，單位區域90的形狀不限於圖29及圖30所示的正方形，只要為矩形、三角形、六邊形等能夠無間隙地排列的形狀，則無論種類如何。
    於步驟S23中，網孔花紋評價部340對作為初始值的評價值EVPInit進行計算。再者，於SA法中，評價值EVP發揮著作為成本函數(Cost Function)的作用。網孔花紋評價部340對影像資料ImgInit實施FFT(Fast Fourier Transformation)而獲得頻譜Spc之後，基於該頻譜Spc來對評價值EVP進行計算。此外，當然可根據用以決定網孔圖案20的目標水準(允許範圍)或評價函數，對評價值EVP的計算式進行各種變更。
    於步驟S24中，記憶部324分別將步驟S22中所製成的影像資料ImgInit暫時記憶為Img，將步驟S23中所計算出的評價值EVPInit暫時記憶為EVP。同時將初始值n△T(n為自然數，△T為正實數)代入至模擬溫度T。
    於步驟S25中，網孔花紋評價部340將變數K初始化。亦即，將0代入至K。
    接著，於將種子點SD的一部分(第2種子點SDS)替換為候補點SP的狀態下，製成影像資料ImgTemp，計算出評價值EVPTemp之後，對種子點SD的「更新」或「不更新」進行判斷(步驟S26)。一面參照圖31的流程圖及圖23的功能方塊圖，一面更詳細地對該步驟S26進行說明。
    於步驟S261中，更新候補位置決定部330自規定的平面區域100抽出、決定候補點SP。更新候補位置決定部330例如使用自亂數產生部326供給的亂數值，決定與影像資料Img中的種子點SD的任一個位置均不重複的位置。再者，候補點SP的個數可為一個，亦可為多個。於圖32A所示的例子中，目前的種子點SD為8個(點P1~點P8)，相對於此，候補點SP為2個(點Q1與點Q2)。
    於步驟S262中，隨機地對種子點SD的一部分與候補點SP進行更換。更新候補位置決定部330預先使各候補點SP與更換(或更新)的各種子點SD隨機地對應。於圖32A中，點P1與點Q1相對應，點P3與點Q2相對應。如圖32B所示，對點P1與點Q1進行更換，並且對點P3與點Q2進行更換。此處，將並非為更換(或更新)對象的點P2、點P4~點P8稱為第1種子點SDN，將作為更換(或更新)對象的點P1及點P3稱為第2種子點SDS。
    於步驟S263中，影像資料製成部338基於已更換的新的種子點SD(參照圖32B)、及影像資訊推定部336所推定出的影像資訊(參照步驟S1的說明)，製成影像資料ImgTemp。此時，由於使用與步驟S22(參照圖26)的情形相同的方法，因此，不進行說明。
    於步驟S264中，網孔花紋評價部340基於影像資料ImgTemp，對評價值EVPTemp進行計算。此時，由於使用與步驟S23(參照圖26)的情形相同的方法，因此，不進行說明。
    於步驟S265中，資料更新指示部342對種子點SD的位置的更新概率Prob進行計算。此處，所謂「位置的更新」，是指決定在步驟S262中暫時進行更換所得的種子點SD(亦即，第1種子點SDN及候補點SP)作為新的種子點SD。
    具體而言，根據美特羅波利(Metropolis)基準，分別對種子點SD的更新概率或不更新的概率進行計算。更新概率Prob可由如下的式(6)獲得。
    [數6]
    此處，T表示模擬溫度，隨著接近於絕對溫度(T=0)，種子點SD的更新法則(renewal rule)自概率性的更新法則變化為決定性的更新法則。
    於步驟S266中，資料更新指示部342根據計算出的更新概率Prob，判斷是否對種子點SD的位置進行更新。例如，亦可使用自亂數產生部326供給的亂數值來概率性地進行判斷。資料更新指示部342於對種子點SD進行更新的情形時，朝記憶部324側指示「更新」的內容，於不對種子點SD進行更新的情形時，朝記憶部324側指示「不更新」的內容(步驟S267、步驟S268)。
    如此，步驟S26完成，該步驟S26判斷是將種子點SD的一部分(第2種子點SDS)替換(更新)為候補點SP，還是不將種子點SD的一部分(第2種子點SDS)替換為候補點SP(不更新)。
    返回至圖26，判定是否根據種子點SD的位置的「更新」及「不更新」中的任一個指示，對種子點SD進行更新(步驟S27)。於對種子點SD進行更新的情形時，前進至如下的步驟S28，於不對種子點SD進行更新的情形時，將步驟S28予以省略，且前進至步驟S29。
    於步驟S28中，於對種子點SD進行更新的情形時，記憶部324將步驟S263中所求出的影像資料ImgTemp覆寫更新至目前已記憶的影像資料Img。此外，記憶部324將步驟S264中所求出的評價值EVPTemp覆寫更新至目前已記憶的評價值EVP。而且，記憶部324將步驟S261中所求出的候補點SP的位置資料SPd覆寫更新至目前已記憶的第2種子點SDS的位置資料SDSd。然後，前進至如下的步驟S29。
    於步驟S29中，資料更新指示部342將目前的K的值加上1。
    於步驟S30中，資料更新指示部342對目前的K的值與預定的Kmax的值的大小關係進行比較。當K的值小於Kmax的值時，返回至步驟S26為止，反覆地進行以下的步驟S26~步驟S29。當滿足K>Kmax時，前進至如下的步驟S31。
    於步驟S31中，資料更新指示部342將模擬溫度T減去△T。再者，模擬溫度T的變化量不僅可為△T的減法量，而且亦可為常數δ(0<δ<1)的乘法量。於該情形時，將上述式(6)所示的概率Prob(下段)減去固定值。
    於步驟S32中，資料更新指示部342判定目前的模擬溫度T是否等於0。當T並不等於0時，返回至步驟S25，反覆地進行以下的步驟S25~步驟S31。另一方面，當T等於0時，資料更新指示部342通知記憶部324利用SA法的評價已結束。
    於步驟S33中，記憶部324將步驟S28中所最後更新的影像資料Img的內容覆寫更新至輸出用影像資料ImgOut。如此，輸出用影像資料ImgOut的製成(步驟S2)結束。
    製成影像資料Img，該影像資料Img表示排列有多個不同的網孔形狀22的網孔圖案20的花紋，基於影像資料Img，計算出將與頻譜Spc相關的沿著角度方向的分散程度予以量化所得的第1評價值EV1，接著基於第1評價值EV1及規定的評價條件，決定一個影像資料Img作為輸出用影像資料ImgOut，因此，可決定如下的各網孔形狀22，上述各網孔形狀22具有滿足規定的評價條件的雜訊特性。換言之，藉由適當地對網孔圖案20的形狀進行控制，可抑制波紋的產生。
    此外，製成影像資料Img，該影像資料Img表示包括多個開口部18的網孔圖案20的花紋，基於影像資料Img，計算出將各開口部18的面積分布的分散程度予以量化所得的第2評價值EV2，接著基於第2評價值EV2及規定的評價條件，決定一個影像資料Img作為輸出用影像資料ImgOut，因此，可決定如下的各開口部18的形狀，上述各開口部18具有滿足規定的評價條件的雜訊特性。換言之，藉由適當地對網孔圖案20的形狀進行控制，可同時抑制雜訊粒狀感及顏色雜訊的產生。
    而且製成影像資料Img，該影像資料Img表示排列有不同的網孔形狀22的網孔圖案20的花紋，基於影像資料Img，計算出將各網孔形狀22的重心位置的分散程度予以量化所得的第3評價值EV3，接著基於第3評價值EV3及規定的評價條件，決定一個影像資料Img作為輸出用影像資料ImgOut，因此，可決定如下的各網孔形狀22，上述各網孔形狀22具有滿足規定的評價條件的雜訊特性。換言之，藉由適當地對網孔圖案20的形狀進行控制，可同時抑制雜訊粒狀感及波紋的產生。
    輸出用影像資料ImgOut除了可為觸控面板44的配線形狀之外，亦可為無機EL元件、有機EL元件、或太陽電池等的各種電極的配線形狀。此外，除了能夠適用於電極以外，亦能夠適用於因電流流動而發熱的透明發熱體(例如車輛的除霜器)、及將電磁波阻斷的電磁波屏蔽材料。
    返回至圖24，最後由影像截取部332自輸出用影像資料ImgOut所表示的平面區域100的形狀(網孔圖案20的花紋)中，分別截取2個以上的第1導電圖案70a、2個以上的第1虛設圖案76a、以及2個以上的第2導電圖案70b(步驟S3)。
    圖33A是表示對各第1導電圖案70a及各第1虛設圖案76a進行截取所得的結果的概略說明圖。圖33B是表示對各第2導電圖案70b進行截取所得的結果的概略說明圖。
    自圖33A所示的平面區域100中，截取除了第1區域R1(附帶影線的區域)以外的部位，藉此製成表示透明基體12的一個主面側(圖2B的箭頭s1方向側)的花紋的第1影像資料。第1區域R1具有如下的形狀，即，多個額緣狀的菱形框沿著箭頭X方向連結。亦即，第1影像資料分別表示2個以上的第1導電圖案70a及2個以上的第1虛設圖案76a(參照圖6等)。
    此外，自圖33B所示的平面區域100中，僅截取第2區域R2(附帶影線的區域)，藉此製成表示透明基體12的另一個主面側(圖2B的箭頭s2方向側)的花紋的第2影像資料。該第2影像資料分別表示2個以上的第2導電圖案70b(參照圖7等)。再者，除了第2區域R2之外的剩餘的區域(圖33B所示的平面區域100內的余白區域)分別對應於各第1導電圖案70a的位置。
    與圖30相比較，於圖33A及圖33B中，平面區域100是以傾斜了規定角度(例如θ=45°)的狀態而配置。亦即，成為如下的關係，即，單位影像資料ImgE的排列方向、與各第1導電圖案70a(或各第2導電圖案70b)的延伸方向所成的角θ並非為0(0°<θ<90°)。如此，相對於網孔圖案20的重複形狀的排列方向傾斜規定角度θ地形成各第1導電圖案70a(或各第2導電圖案70b)，藉此可抑制各第1感知部72a(或各第2感知部72b)與重複形狀之間的波紋的產生。再者，當然只要不產生波紋，則即便θ=0°亦可。根據相同的觀點，重複形狀的尺寸較佳為大於各第1感知部72a(或各第1感知部72b)的尺寸。
    再者，將製成的輸出用影像資料ImgOut、第1影像資料以及第2影像資料用於金屬細線16的輸出形成。例如當使用曝光來製造導電片10、11時，將輸出用影像資料ImgOut、第1影像資料以及第2影像資料用於製作光罩(photomask)的圖案。此外，當藉由包含網版(screen)印刷、噴墨(ink jet)印刷的印刷來製造導電片10、11時，使用輸出用影像資料ImgOut、第1影像資料以及第2影像資料作為印刷用資料。
    接著，作為形成第1導電圖案70a、第1虛設圖案76a、以及第2導電圖案70b(以下，存在稱為第1導電圖案70a等的情形)的方法，例如亦可於透明基體12上，對包括乳劑層的感光材料進行曝光，接著實施顯影處理，該乳劑層含有感光性鹵化銀鹽，藉此分別於曝光部及未曝光部形成金屬銀部及光透射性部，從而形成第1導電圖案70a等。再者，亦可進而對金屬銀部實施物理顯影及/或鍍敷(plating)處理，藉此使金屬銀部承載導電性金屬。關於圖2A所示的導電片11，可較佳地採用以下所示的製造方法。亦即，對形成於透明基體12的兩個面的感光性鹵化銀乳劑層進行總括曝光，於透明基體12的一個主面形成第1導電圖案70a及第1虛設圖案76a，於透明基體12的另一個主面形成第2導電圖案70b。
    一面參照圖34~圖36，一面對上述製造方法的具體例進行說明。
    首先，於圖34的步驟S101中，製成用於網孔圖案20的輸出形成的影像資料。根據圖24的流程圖來執行該步驟。由於已對具體方法進行了敍述，因此，此處不進行說明。
    於圖34的步驟S102中，製作長條的感光材料140。如圖35A所示，感光材料140包括：透明基體12、形成於該透明基體12的一個主面的感光性鹵化銀乳劑層(以下稱為第1感光層142a)、以及形成於透明基體12的另一個主面的感光性鹵化銀乳劑層(以下稱為第2感光層142b)。
    於圖34的步驟S103中，對感光材料140進行曝光。於該曝光處理中，進行第1曝光處理與第2曝光處理(雙面同時曝光)，上述第1曝光處理將光朝透明基體12照射至第1感光層142a，沿著第1曝光圖案對第1感光層142a進行曝光，上述第2曝光處理將光朝透明基體12照射至第2感光層142b，沿著第2曝光圖案對第2感光層142b進行曝光。於圖34B的例子中，一面朝一個方向搬送長條的感光材料140，一面將第1光144a(平行光)經由第1光罩146a而照射至第1感光層142a，並且將第2光144b(平行光)經由第2光罩146b而照射至第2感光層142b。利用途中的第1準直透鏡(collimator lens)150a來將自第1光源148a射出的光轉換為平行光，藉此獲得第1光144a，利用途中的第2準直透鏡150b來將自第2光源148b射出的光轉換為平行光，藉此獲得第2光144b。
    於圖35B的例子中，表示了使用有2個光源(第1光源148a及第2光源148b)的情形，但亦可經由光學系統來對自一個光源射出的光進行分割，將上述光作為第1光144a及第2光144b而照射至第1感光層142a及第2感光層142b。
    接著，於圖34的步驟S104中，對曝光之後的感光材料140進行顯影處理。第1感光層142a及第2感光層142b的曝光時間以及顯影時間會根據第1光源148a及第2光源148b的種類或顯影液的種類等而發生各種變化，因此，無法同樣地決定較佳的數值範圍，將上述曝光時間以及顯影時間調整為使顯影率達到100%的曝光時間以及顯影時間。
    而且，本實施形態的製造方法中的第1曝光處理如圖36所示，將第1光罩146a例如密著地配置於第1感光層142a上，自與該第1光罩146a相對向地配置的第1光源148a朝第1光罩146a照射出第1光144a，藉此來對第1感光層142a進行曝光。第1光罩146a包含：由透明的鈉玻璃(soda glass)形成的玻璃基板、與形成於該玻璃基板上的掩模圖案(第1曝光圖案152a)。因此，藉由上述第1曝光處理來對第1感光層142a中的如下的部分進行曝光，該部分沿著第1光罩146a中所形成的第1曝光圖案152a。亦可於第1感光層142a與第1光罩146a之間設置2 μm~10 μm左右的間隙。
    同樣地，第2曝光處理是將第2光罩146b例如密著地配置於第2感光層142b上，自與該第2光罩146b相對向地配置的第2光源148b朝第2光罩146b照射出第2光144b，藉此來對第2感光層142b進行曝光。與第1光罩146a同樣地，第2光罩146b包含：由透明的鈉玻璃形成的玻璃基板、與形成於該玻璃基板上的掩模圖案(第2曝光圖案152b)。因此，藉由上述第2曝光處理來對第2感光層142b中的如下的部分進行曝光，該部分沿著第2光罩146b中所形成的第2曝光圖案152b。於該情形時，亦可於第2感光層142b與第2光罩146b之間設置2 μm~10 μm左右的間隙。
    對於第1曝光處理及第2曝光處理而言，可使來自第1光源148a的第1光144a的射出時序(timing)、與來自第2光源148b的第2光144b的射出時序同時，亦可使該兩個射出時序不同時。若上述兩個射出時序同時，則可利用一次的曝光處理來同時對第1感光層142a及第2感光層142b進行曝光，從而可使處理時間縮短。
    最後，於圖34的步驟S105中，對顯影處理之後的感光材料140實施疊合(laminate)處理，藉此完成導電片11。具體而言，於第1感光層142a側形成第1保護層26a，並且於第2感光層142b側形成第2保護層26b。藉此，保護第1感測器部60a、第2感測器部60b。
    如此，使用如下的製造方法，該製造方法使用了上述雙面總括曝光，藉此能夠容易地形成觸控面板44的電極，從而可使觸控面板44實現薄型化(低背化(low profile))。
    上述例子是使用感光性鹵化銀乳劑層來形成第1導電圖案70a等的製造方法，存在如下所述的製造方法作為其他製造方法。
    例如，亦可對透明基體12上所形成的銅箔上的光阻膜(photoresist film)進行曝光，接著進行顯影處理而形成抗蝕劑圖案，對自抗蝕劑圖案露出的銅箔進行蝕刻(etching)，藉此形成第1導電圖案70a等。或者，亦可將包含金屬微粒子的漿料(paste)印刷至透明基體12上，將金屬鍍敷至漿料，藉此形成第1導電圖案70a等。或者，亦可藉由網版印刷版或凹版(gravure)印刷版，於透明基體12上印刷形成第1導電圖案70a等。或者，亦可藉由噴墨而於透明基體12上形成第1導電圖案70a等。
    接著，一面參照圖37~圖42，一面對本實施形態的導電片11的變形例(第1變形例~第4變形例)進行說明。再者，於變形例中，對與本實施形態相同的構成要素附上相同的參照符號，且將詳細的說明予以省略，以下相同。
    [第1變形例]
    觸控面板160並非為靜電容量方式，亦可應用電阻膜方式(進而應用數位(digital)方式、類比(analog)方式)。以下，一面參照圖37~圖39，一面對構造及動作原理進行說明。
    數位電阻膜方式的觸控面板160包括：下側面板162；上側面板164，與下側面板162相對向地配置；額緣黏接層166，貼合於下側面板162及上側面板164的周緣部，且使兩者電性絕緣；以及FPC168(可撓性印刷電路(Flexible Printed Circuits))，夾持於下側面板162及上側面板164。
    如圖37及圖38A所示，上側面板164包括：包含具有可撓性的材質(例如樹脂)的第1透明基體170a、與形成於該第1透明基體170a的一個主面(箭頭Z2方向側)的第1感測器部172a及第1端子配線部174a。第1感測器部172a包括分別由多根金屬細線16形成的2個以上的第1導電圖案176a。帶狀的第1導電圖案176a分別沿著箭頭Y方向延伸，且沿著箭頭X方向等間隔地排列。各第1導電圖案176a經由第1端子配線部174a而電性連接於FPC168。帶狀的第1虛設圖案178a分別配置於各第1導電圖案176a之間。
    如圖37及圖38B所示，下側面板162包括：包含高剛性的材質(例如玻璃)的第2透明基體170b、形成於該第2透明基體170b的一個主面(箭頭Z1方向側)的第2感測器部172b及第2端子配線部174b、以及以規定間隔配置於第2感測器部172b上的多個隔球(dot spacer)180。第2感測器部172b包括分別由多條金屬細線16形成的2個以上的第2導電圖案176b。帶狀的第2導電圖案176b分別沿著箭頭X方向延伸，且沿著箭頭Y方向等間隔地排列。各第2導電圖案176b經由第2端子配線部174b而電性連接於FPC168。帶狀的第2虛設圖案178b分別配置於各第2導電圖案176b之間。
    如圖37及圖39所示，於將上側面板164及下側面板162貼合的狀態下，第1感測器部172a隔著各隔球180而與第2感測器部172b隔開規定間隔地配置。而且，各第1導電圖案176a與各第2導電圖案176b分別交叉，藉此形成多個大致正方形的重複區域182。而且，於各第1虛設圖案178a與各第2虛設圖案178b分別交叉的位置，分別配置有隔球180。亦即，處於如下的位置關係，即，於各重複區域182的四個角落，各配置有一個隔球180。
    接著，對觸控面板160的動作進行說明。接受來自輸入面(第1透明基體170a的箭頭Z1側主面)的按壓，具有可撓性的第1透明基體170a會呈凹狀地彎曲。如此，在與最靠近按壓位置的由4個隔球180包圍的一個重複區域182相對應的部位，第1導電圖案176a的一部分與第2導電圖案176b的一部分發生接觸。於該狀態下，經由FPC168而施加電壓，藉此於上側面板164與下側面板162之間產生電位梯度(potential gradient)。亦即，經由FPC168而自上側面板164讀取電壓，藉此能夠檢測出箭頭X方向(X軸)的輸入位置。同樣地，自下側面板162讀取電壓，藉此能夠檢測出箭頭Y方向(Y軸)的輸入位置。
    此處，亦可根據解析度來對第1導電圖案176a(或第2導電圖案176b)的寬度w3進行各種設定，例如1 mm~5 mm左右較佳。根據與第1導電圖案176a(或第2導電圖案176b)之間的絕緣性及觸控面板160的感度的觀點，第1虛設圖案178a(或第2虛設圖案178b)的寬度w4的較佳範圍為50 μm~200 μm。
    若將圖38A及圖38B所示的單影線區域(第1導電圖案176a及第2導電圖案176b)、以及雙影線區域(第1虛設圖案178a及第2虛設圖案178b)的一部分放大，則會出現圖2A所示的網孔圖案20的構造。亦即，較佳為預先決定在上側面板164及下側面板162重疊的狀態下，能夠抑制波紋的產生及使雜訊粒狀感減小的配線形狀。
    [第2變形例]
    第1導電圖案192a及/或第2導電圖案192b的輪廓形狀亦可為與本實施形態不同的形狀。以下，一面參照圖40A及圖40B，一面對第1感測器部190a及第2感測器部190b進行說明，該第1感測器部190a及第2感測器部190b未形成第1感知部72a(參照圖5A)及第2感知部72b(參照圖5B)，且於平面觀察時，宏觀地具有概略格子狀的花紋。
    圖40A是第1感測器部190a(第1導電部14a、第1虛設電極部15a)的部分放大圖，圖40B是第2感測器部190b(第2導電部14b、第2虛設電極部15b)的部分放大圖。為了便於說明，於圖40A及圖40B中，利用單線來僅標明由多條金屬細線16形成的網孔圖案20的輪廓。亦即，若將圖40A及圖40B所示的各單線的一部分放大，則會出現圖2A所示的網孔圖案20的構造。
    如圖40A所示，於對應於第1感測器部190a的部位，包括由多條金屬細線16形成的2個以上的第1導電圖案192a。第1導電圖案192a分別沿著箭頭Y方向延伸，且沿著與箭頭Y方向正交的箭頭X方向等間隔地排列。此外，第1導電圖案192a與第2導電圖案70b(參照圖5B)不同，具有大致固定的線寬。於各第1導電圖案192a之間，分別配置有格子狀的第1虛設圖案194。第1虛設圖案194包含：4根長線圖案196，沿著箭頭Y方向延伸且等間隔地配置；以及多個短線圖案198，分別與4根長線圖案196交叉地配置。各短線圖案198均具有相同的長度，且以4根作為重複單位，等間隔地並排設置於箭頭Y方向。
    如圖40B所示，於對應於第2感測器部190b的部位，包括由多條金屬細線16形成的2個以上的第2導電圖案192b。第2導電圖案192b分別沿著箭頭X方向延伸，且沿著與箭頭X方向正交的箭頭Y方向等間隔地排列。此外，第2導電圖案192b與第1導電圖案70a(參照圖5A)不同，具有大致固定的線寬。於各第2導電圖案192b之間，配置有多個沿著箭頭X方向延伸的直線狀的第2虛設圖案200。各第2虛設圖案200均具有相同的長度，且以4根為重複單位，等間隔地並排設置於箭頭Y方向。
    亦即，於平面觀察時，形成於第1感測器部190a(參照圖40A)及第2感測器部190b(參照圖40B)的花紋互補，藉此完成以格子要素202為單位的格子形狀。即便為此種構成，亦可獲得與本發明相同的作用效果。
    [第3變形例]
    導電片210亦可包含2塊片材構件(第1片材構件212a及第2片材構件212b)。
    如圖41所示，導電片210是自下方依序對第2片材構件212b及第1片材構件212a進行積層而構成。第1片材構件212a包括形成於第1透明基體12a的一個主面(箭頭s1方向側)的第1導電部14a及第1虛設電極部15a。第2片材構件212b包括形成於第2透明基體12b的一個主面(箭頭s1方向側)的第2導電部14b。亦即，可謂為如下的一個形態，即，於第1透明基體12a的一個主面(箭頭s1方向側)上形成有第1導電部14a等，且於第1透明基體12a的另一個主面(箭頭s2方向側)上形成有第2導電部14b等。
    即便以上述方式構成導電片210，亦可獲得與本實施形態相同的作用效果。再者，其他層亦可介於第1片材構件212a與第2片材構件212b之間。此外，只要第1導電部14a與第2導電部14b、或第1虛設電極部15a與第2導電部14b為絕緣狀態，則這些部分亦可相對向地配置。
    [第4變形例]
    不僅可於導電片220的單面側設置虛設電極部(第1虛設電極部15a及第2虛設電極部15b)，而且亦可於導電片220的兩面側設置虛設電極部(第1虛設電極部15a及第2虛設電極部15b)。
    如圖42所示，於透明基體12的另一個主面(箭頭s2方向側)上，不僅形成有第2導電部14b，而且亦形成有第2虛設電極部15b。此處，第2虛設電極部15b是與第2導電部14b隔開規定間隔地配置。亦即，第2虛設電極部15b處於與第2導電部14b電性絕緣的狀態下。
    如此，於透明基體12的兩面側設置虛設電極部，藉此當將導電片220裝入至顯示裝置40(參照圖4)時，無論配置於表面還是背面，均可獲得本發明的作用效果。相反地，根據生產成本的觀點，亦可採用不將虛設電極部設置於透明基體12的兩個面的形態。
    根據感光材料與顯影處理的形態，本實施形態的導電片10、11的製造方法包含如下所述的3個形態。
    (1)形態是對不包含物理顯影核的感光性鹵化銀黑白感光材料進行化學顯影或熱顯影而使金屬銀部形成於該感光材料上。
    (2)形態是對鹵化銀乳劑層中包含物理顯影核的感光性鹵化銀黑白感光材料進行溶解物理顯影而使金屬銀部形成於該感光材料上。
    (3)形態是將不包含物理顯影核的感光性鹵化銀黑白感光材料、與具有包含物理顯影核的非感光性層的顯像片予以疊合來進行擴散轉印顯影，使金屬銀部形成於非感光性顯像片上。
    上述(1)的形態為一體型黑白顯影類型，於感光材料上形成透光性導電性膜。所獲得的顯影銀為化學顯影銀或熱顯影銀，且為高比表面(high-specific surface)的長絲(filament)，因此，於後續的鍍敷或物理顯影過程中，該顯影銀的活性高。
    對於上述(2)的形態而言，於曝光部中，物理顯影核近緣的鹵化銀粒子溶解而沈積於顯影核上，藉此於感光材料上形成光透射性導電性膜等透光性導電性膜。此亦為一體型黑白顯影類型。顯影作用為朝向物理顯影核上的析出，因此，活性高，但顯影銀為比表面小的球形。
    對於上述(3)的形態而言，於未曝光部中，鹵化銀粒子溶解且擴散，接著沈積於顯像片上的顯影核上，藉此於顯像片上形成光透射性導電性膜等透光性導電性膜。上述(3)的形態為所謂的分離類型，且為自感光材料將顯像片予以剝離來使用的形態。
    對於任一個形態而言，均可選擇負型顯影處理以及反轉顯影處理中的任一種顯影(於擴散轉印方式的情形時，將直接正型感光材料用作感光材料，藉此可進行負型顯影處理)。
    此處所謂的化學顯影、熱顯影、溶解物理顯影、以及擴散轉印顯影是指如本領域中所通常使用的用語所述的意思，且已於照片化學的一般教科書中有解說，例如已於菊地真一編著的「照片化學」(共立出版社，1955年發行)、C.E.K.Mees編寫的「攝影法理論第四版(The Theory of Photographic Processes,4th ed.)」(麥克米倫(Mcmillan)公司，1977年發行)中有解說。本案是與液體處理相關的發明，但其他的應用熱顯影方式作為顯影方式的技術亦可作為參考。例如，可應用日本專利特開2004-184693號、日本專利特開2004-334077號、日本專利特開2005-010752號的各公報、以及日本專利特願2004-244080號、日本專利特願2004-085655號的各說明書所揭示的技術。
    此處，以下詳細地對本實施形態的導電片10、11的各層的構成進行說明。
    [透明基體12]
    作為透明基體12，可列舉：塑膠膜(plastic film)、塑膠板(plastic plate)、以及玻璃板(glass plate)等。
    作為上述塑膠膜以及塑膠板的原料，例如可使用包含聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)等的聚酯類；聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚丙烯(PP)、聚苯乙烯(PS)、三醋酸纖維素(Triacetyl Cellulose，TAC)等。
    作為透明基體12，熔點約為290℃以下的塑膠膜或塑膠板較佳，根據光透射性或加工性等的觀點，PET特佳。
    [銀鹽乳劑層]
    成為第1積層部28a及第2積層部28b的金屬細線16的銀鹽乳劑層除了含有銀鹽與黏合劑(binder)之外，亦含有溶劑或染料等添加劑。
    <1.銀鹽>
    作為本實施形態中所使用的銀鹽，可列舉鹵化銀等無機銀鹽及醋酸銀等有機銀鹽。於本實施形態中，較佳為使用作為光感測器(optical sensor)的特性優異的鹵化銀。
    銀鹽乳劑層的塗佈銀量(銀鹽的塗佈量)換算為銀，較佳為1 g/m2~30 g/m2，更佳為1 g/m2~25 g/m2，進而較佳為5 g/m2~20 g/m2。藉由將該塗佈銀量設為上述範圍，當形成導電片10、11時，可獲得所期望的表面電阻。
    <2.黏合劑>
    作為本實施形態中所使用的黏合劑，例如可列舉：明膠(gelatin)、聚乙烯醇(Polyvinyl Alcohol，PVA)、聚乙烯吡咯烷酮(Polyvinyl Pyrrolidone，PVP)、澱粉等的多糖類、纖維素及其衍生物、聚氧化乙烯、聚乙烯胺、聚葡萄胺糖(chitosan)、聚離胺酸、聚丙烯酸、聚海藻酸、聚透明質酸、以及羧基纖維素等。根據官能基的離子性，上述黏合劑具有中性、陰離子性、以及陽離子性的性質。
    本實施形態的銀鹽乳劑層中所含有的黏合劑的含有量並無特別的限定，可於能夠發揮分散性與密著性的範圍內，適當地決定上述黏合劑的含有量。以銀/黏合劑體積比計，銀鹽乳劑層中的黏合劑的含有量較佳為1/4以上，更佳為1/2以上。銀/黏合劑體積比較佳為100/1以下，更佳為50/1以下。此外，銀/黏合劑體積比進而較佳為1/1~4/1。最佳為1/1~3/1。藉由將銀鹽乳劑層中的銀/黏合劑體積比設為上述範圍，即便於對塗佈銀量進行調整的情形時，亦可抑制電阻值的分散，從而可獲得具有均一的表面電阻的導電片10。再者，將原料的鹵化銀量/黏合劑量(重量比)轉換為銀量/黏合劑量(重量比)，接著將該銀量/黏合劑量(重量比)轉換為銀量/黏合劑量(體積比)，藉此可求出銀/黏合劑體積比。
    <3.溶劑>
    用以形成銀鹽乳劑層的溶劑並無特別的限定，例如可列舉：水、有機溶劑(例如甲醇等醇類、丙酮等酮類、甲醯胺等醯胺類、二甲基亞碸等亞碸類、醋酸乙酯等酯類、及醚類等)、離子性液體、以及這些溶劑的混合溶劑。
    <4.其他添加劑>
    本實施形態中所使用的各種添加劑並無特別的限制，可較佳地使用眾所周知的添加劑。
    [第1保護層26a、第2保護層26b]
    作為第1保護層26a及第2保護層26b，與透明基體12同樣地可列舉：塑膠膜、塑膠板、以及玻璃板等。作為上述塑膠膜及塑膠板的原料，例如可使用PET、PEN、PMMA、PP、PS、以及TAC等。
    第1保護層26a及第2保護層26b的厚度並無特別的限制，可根據目的而適當地選擇該厚度。例如較佳為5 μm~100 μm，更佳為8 μm~50 μm，特佳為10 μm~30 μm。
    接著，對導電片10、11的製作方法的各步驟進行說明。
    [曝光]
    於本實施形態中，包括藉由印刷方式來形成第1導電部14a、第2導電部14b及第1虛設電極部15a等的情形，但除了印刷方式以外，亦藉由曝光與顯影等來形成第1導電部14a、第2導電部14b及第1虛設電極部15a等。亦即，對包括設置於透明基體12上的含銀鹽層的感光材料或塗佈有光微影法(photolithography)用光聚合物(photopolymer)的感光材料進行曝光。可使用電磁波來進行曝光。作為電磁波，例如可列舉：可見光線、紫外線等光、以及X射線等放射線等。而且，可利用具有波長分布的光源來進行曝光，亦可使用特定的波長的光源來進行曝光。
    [顯影處理]
    於本實施形態中，對乳劑層進行曝光之後，進而進行顯影處理。該顯影處理可使用銀鹽照相膠片或感光紙(photographic paper)、印刷製版用膠片、及光罩用乳膠掩模(emulsion mask)等中所使用的通常的顯影處理的技術。
    本發明中的顯影處理可包含定影處理，該定影處理是為了將未曝光部分的銀鹽予以除去而實現穩定化所進行的處理。本發明中的定影處理可使用銀鹽照相膠片或感光紙、印刷製版用膠片、及光罩用乳膠掩模等中所使用的定影處理的技術。
    較佳為對已實施了顯影、定影處理的感光材料實施水洗處理或穩定化處理。
    較佳為如下的含有率，即，顯影處理之後的曝光部中所含的金屬銀部的質量為曝光之前的曝光部中所含的銀的質量的50質量%以上，進而較佳為80質量%以上。若曝光部中所含的銀的質量為曝光之前的曝光部中所含的銀的質量的50質量%以上，則可獲得高導電性，因此較佳。
    經由以上的步驟而獲得導電片10、11。亦可進而對顯影處理之後的導電片10、11進行壓光(calender)處理，且可藉由壓光處理來調整為所期望的表面電阻。獲得的導電片10、11的表面電阻較佳為處於0.1歐姆/sq.~300歐姆/sq.的範圍。
    再者，表面電阻根據導電片10、11的用途而有所不同。例如於觸控面板用途的情形時，上述表面電阻較佳為1歐姆/sq.~70歐姆/sq.，更佳為5歐姆/sq.~50歐姆/sq.，進而較佳為5歐姆/sq.~30歐姆/sq.。此外，於電磁波屏蔽用途的情形時，上述表面電阻較佳為10歐姆/sq.以下，更佳為0.1歐姆/sq.~3歐姆/sq.。
    [物理顯影及鍍敷處理]
    於本實施形態中，為了使曝光及顯影處理所形成的金屬銀部的導電性提高，亦可進行用以使金屬銀部承載導電性金屬粒子的物理顯影及/或鍍敷處理。於本發明中，可僅利用物理顯影或鍍敷處理中的任一個處理來使導電性金屬粒子承載於金屬銀部，亦可將物理顯影與鍍敷處理加以組合而使導電性金屬粒子承載於金屬銀部。再者，將對金屬銀部實施物理顯影及/或鍍敷處理而成的部分一併稱為「導電性金屬部」。
    本實施形態中的所謂的「物理顯影」，是指藉由還原劑來對銀離子等金屬離子進行還原，使金屬粒子析出至金屬或金屬化合物的核上。該物理現象利用於即時B&W膠片、即時幻燈膠片(instant slide film)或印刷版製造等，於本發明中，可使用該技術。此外，物理顯影可與曝光之後的顯影處理同時進行，亦可於顯影處理之後另外地進行。
    於本實施形態中，鍍敷處理可使用無電解鍍敷(化學還原鍍敷或取代鍍敷)、電解鍍敷、或無電解鍍敷與電解鍍敷該兩種鍍敷。本實施形態中的無電解鍍敷可使用眾所周知的無電解鍍敷技術，例如，可使用印刷配線板等中所使用的無電解鍍敷技術，無電解鍍敷較佳為無電解鍍銅。
    再者，於本實施形態的導電片10、11的製造方法中，不一定必須進行鍍敷等步驟。原因在於：於本製造方法中，可藉由對銀鹽乳劑層的塗佈銀量、銀/黏合劑體積比進行調整來獲得所期望的表面電阻。
    [氧化處理]
    於本實施形態中，較佳為對顯影處理之後的金屬銀部、以及物理顯影及/或鍍敷處理所形成的導電性金屬部實施氧化處理。藉由進行氧化處理，例如，於金屬稍微沈積於光透射性部的情形時，可將該金屬予以除去而使光透射性部的透射性大致為100%。
    [顯影處理之後的硬膜處理]
    較佳為對銀鹽乳劑層進行顯影處理之後，將該銀鹽乳劑層浸漬於硬膜劑來進行硬膜處理。作為硬膜劑，例如可列舉：戊二醛、己二醛、2,3-二羥基-1,4-二噁烷等的二醛類以及硼酸等的日本專利特開平2-141279號公報所揭示的硬膜劑。
    亦可於本實施形態的導電片10、11上形成抗反射層或條碼層(bar code layer)等功能層。
    [壓光處理]
    亦可對已完成顯影處理的金屬銀部實施壓光處理而使該金屬銀部平滑。藉此，金屬銀部的導電性顯著地增大。可藉由壓光輥(roller)來進行壓光處理。壓光輥通常包含一對輥。
    作為壓光處理中所使用的輥，可使用環氧化物、聚醯亞胺、聚醯胺、及聚醯亞胺醯胺等塑膠輥(plastic roller)或金屬輥。尤其當於兩個面包括乳劑層時，較佳為利用一對金屬輥來進行處理。當於單面包括乳劑層時，考慮到防止褶皺，亦可將金屬輥與塑膠輥加以組合。線性壓力的上限值為1960 N/cm(200 kgf/cm，若換算為面壓力，則為699.4 kgf/cm2)以上，進而較佳為2940 N/cm(300 kgf/cm，若換算為面壓力，則為935.8 kgf/cm2)以上。線性壓力的上限值為6880 N/cm(700 kgf/cm)以下。
    壓光輥所代表的平滑化處理的適用溫度較佳為10℃(不進行溫度調節)~100℃，更佳的溫度會根據金屬網孔圖案或金屬配線圖案的掃描密度(density of scanning)或形狀、黏合劑種類而有所不同，但大致處於10℃(不進行溫度調節)~50℃的範圍。
    [疊合處理]
    為了保護第1感測器部60a、第2感測器部60b，亦可於銀鹽乳劑層上形成保護層。於保護層與銀鹽乳劑層之間設置第1黏接層24a(或第2黏接層24b)，藉此能夠自如地調整黏接性。
    作為第1黏接層24a及第2黏接層24b的材料，可列舉：濕式疊層黏接劑、乾式疊層黏接劑、或熱熔黏接劑等。特佳為能夠黏接的材料的種類豐富且貼合速度亦快的乾式疊層黏接劑。作為乾式疊層黏接劑，具體而言可使用胺基樹脂黏接劑、酚樹脂黏接劑、氯丁二烯橡膠黏接劑、腈橡膠黏接劑、環氧化物黏接劑、胺酯黏接劑、以及反應型丙烯酸黏接劑等。其中，較佳為使用丙烯酸系低酸價黏接劑即住友3M公司製造的光學透明膠(Optical Clear Adhesive，OCA；註冊商標)。
    乾燥條件較佳為30℃~150℃的溫度環境下，1分鐘~30分鐘。乾燥溫度特佳為50℃~120℃。
    此外，代替上述黏接層，可對透明基體12及保護層中的至少任一者進行表面處理，藉此對層間黏接力進行調整。為了使與銀鹽乳劑層之間的黏接力提高，例如亦可實施電暈放電(corona discharge)處理、火焰處理、紫外線照射處理、高頻波照射處理、輝光放電(glow discharge)照射處理、活性電漿照射處理、以及雷射(laser)光線照射處理等。
    再者，本發明可適當地與下述表4及表5所揭示的公開公報及國際公開說明書的技術加以組合地使用。省略「日本專利特開」、「號公報」、及「號說明書」等的表述。

    [實例]
    以下，列舉本發明的實例來更具體地對本發明進行說明。再者，只要不脫離本發明的宗旨，可適當地對以下的實例所示的材料、使用量、比例、處理內容、以及處理順序等進行變更。因此，本發明的範圍不應由以下所示的具體例來限定性地解釋。
    於該實例中，分別對裝入有實例1~實例21、以及比較例1及比較例2的導電片11的顯示裝置40中的視認性(波紋、雜訊粒狀感及顏色雜訊)進行評價。
    <實例1~實例21、比較例1、比較例2>
    (鹵化銀感光材料)
    調製如下的乳劑，該乳劑於水媒體中，相對於150 g的Ag而包含10.0 g的明膠且含有球等效直徑(sphere equivalent diameter)平均值為0.1 μm的碘溴化銀粒子(I=0.2莫耳%，Br=40莫耳%)。
    此外，於該乳劑中添加K3Rh2Br9以及K2IrCl6，使得濃度達到10-7(莫耳/莫耳銀)，將Rh離子與Ir離子摻雜至臭化銀粒子。於該乳劑中添加Na2PdCl4，接著使用氯金酸與硫代硫酸鈉來進行金硫敏化(sensitization)之後，以使銀的塗佈量達到10 g/m2的方式，與明膠硬膜劑一併塗佈至透明基體(此處為折射率n0=1.64的聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET))上。此時，Ag/明膠體積比設為2/1。
    對於寬度為300 mm的PET支持體進行寬度為250 mm且長度為20 m的塗佈，以保留240 mm的塗佈寬度的中央部的方式，將兩端分別截去30 mm，獲得輥狀的鹵化銀感光材料。
    (製成曝光圖案)
    使用本實施形態中所說明的SA法(參照圖26等)來製成表示網孔圖案20(參照圖2A)的輸出用影像資料ImgOut，該網孔圖案20無間隙地鋪滿有多邊形狀的網孔形狀22。
    網孔圖案20的製作條件是將整體透射率設為93%，將透明基體12的厚度設為20 μm，將金屬細線16的寬度設為12.5 μm，將金屬細線16的厚度設為10 μm。將單位區域90的縱橫尺寸均設為5 mm，將影像解析度設為2032 dpi(每英吋點數(dot per inch))。使用馬其賽旋轉(Mersenne twister)來隨機地決定種子點SD的初始位置，並且根據范諾圖來決定多邊形狀的各網孔形狀22。使用圖29及圖30所示的方法，規則地對單位影像資料ImgE進行配置，藉此形成具有重複形狀的輸出用影像資料ImgOut。
    接著，如圖33A及圖33B所示，截取平面區域100內的配線形狀，藉此分別製成包含除了第1區域R1以外的區域的第1曝光圖案、與包含第2區域R2的第2曝光圖案。
    為了進行比較，亦一併製成表示先前例的網孔圖案4(參照圖43A)、網孔圖案6(參照圖43B)的曝光圖案。將這些例子稱為比較例1、比較例2。
    (曝光)
    分別對A4尺寸(210 mm×297 mm)的透明基體12的兩個面進行曝光。對於曝光而言，經由上述第1曝光圖案(對應於第1導電部14a側)及第2曝光圖案(對應於第2導電部14b側)的光罩，使用將高壓水銀燈作為光源的平行光來進行曝光。
    (顯影處理)
    使用富士膠片公司製造的自動顯影機FG-710PTS，於如下的處理條件下，對已使用上述處理劑完成曝光的感光材料進行處理，即，於35℃進行30秒的顯影，於34℃進行23秒的定影，進行20秒的水洗流水(5 L/分鐘)處理。
    (疊合處理)
    於已完成顯影的感光材料的兩個面，各貼附一塊片狀的PET(第1保護層26a及第2保護層26b)。此外，使用市售的黏著帶(NSS50-1310；新TAC化成公司製造，厚度為50 μm)作為第1黏接層24a及第2保護層26b(參照圖2B)。接著，貼附第1保護層26a及第2保護層26b之後，為了防止產生氣泡，於0.5個氣壓、40℃的環境下加熱20分鐘，實施高壓滅菌(autoclave)處理。
    [評價]
    將實例1~實例21及比較例1~比較例2的各樣本分別貼附於顯示單元30的顯示畫面上。使用市售的彩色液晶顯示器(畫面尺寸11.6型，1366點×768點，縱橫的像素間距均約為194 μm)作為顯示單元30。於對顯示單元30進行顯示控制而使該顯示單元30顯示白色(最高亮度)的狀態下，由3名研究員分別實施與顯示畫面的視認性相關的感官評價。再者，分別將自顯示畫面算起的觀察距離設定為300 mm，將室內照度設定為300 lx。
    此處，對於實例1~實例6及比較例1~比較例2的各樣本，利用第1評價值EV1來進行評價。此外，對於實例7~實例14及比較例1~比較例2的各樣本，利用第3評價值EV2來進行評價。此外，對於實例15~實例18及比較例1~比較例2的各樣本，利用第3評價值EV3來進行評價。對於實例19~實例21及比較例1~比較例2的各樣本，利用第1評價值EV1、第2評價值EV2及第3評價值EV3來進行綜合評價。
    利用第1評價值EV1進行的評價(主要評價波紋)
    根據波紋的觀點來進行評價。將波紋未顯現的情形評價為「A」，將波紋大體上未顯現的情形評價為「B」，將雖視認出波紋但無問題的水準的情形評價為「C」，將波紋顯現的情形評價為「D」。接著，將各研究員的評價的平均值作為波紋的評價結果。
    利用第2評價值EV2進行的評價(主要評價顏色雜訊)
    根據顏色雜訊的觀點來進行複合評價。將顏色雜訊不顯眼的情形評價為「A」，將顏色雜訊大體上不顯眼的情形評價為「B」，將雖視認出顏色雜訊但無問題的水準的情形評價為「C」，將顏色雜訊顯眼的情形評價為「D」。接著，將各研究員的評價的平均值作為粗糙感及顏色雜訊的評價結果。
    利用第3評價值EV3進行的評價(評價顏色雜訊、波紋該兩者的平衡)
    根據波紋及顏色雜訊的觀點來進行複合評價。將兩者均不顯眼的情形評價為「A」，將兩者均大體上不顯眼的情形評價為「B」，將雖視認出任一者但無問題的水準的情形評價為「C」，將兩者均顯眼的情形評價為「D」。接著，將各研究員的評價的平均值作為粗糙感(顏色雜訊)及波紋的評價結果。
    (各評價值的計算)
    使用輸入解析度為2032 dpi的掃描裝置來取得256灰階的影像資料，該256灰階的影像資料表示形成於導電片11的網孔圖案20的一部分。自上述影像資料隨機地截取單位正方影像，該單位正方影像的一條邊具有相當於2的冪的像素數，例如一條邊具有512像素的尺寸。而且，沿著上下方向及左右方向交替折返地配置上述單位正方影像，藉此製成評價用資料，該評價用資料表示無間隙地排列有網孔形狀22的花紋。再者，當線寬低於12.5 μm時，為了可根據取得的影像的濃度資訊來確定圖案形狀，可藉由進行二值化來計算出評價值。原因在於：與網孔的開口部的尺寸相比較，根據濃度資訊而獲得的線的位置的不確定差為可相對地無視的水準。
    再者，於高速傅里葉變換的運算中，使用西方最快的傅里葉變換(Fastest Fourier Transformation in the West，FFTW)。依照上述順序來製成固定尺寸的評價用資料，藉此使用演算法唯一地確定，從而可獲得穩定的變換結果。具體而言，根據圖43所示的程式碼來實施FFT的運算。
    [結果]
    將使用了實例1~實例21及比較例1~比較例8的各樣本且與顯示單元30的顯示畫面的視認性相關的感官評價的結果，表示於如下的表3、表4、表5、及表6。再者，表3表示實例1~實例6及比較例1~比較例2的利用第1評價值EV1的評價結果。表4表示實例7~實例14及比較例1~比較例2的利用第2評價值EV2的評價結果。表5表示實例15~實例18及比較例1~比較例2的利用第3評價值EV3的評價結果。表6表示實例19~實例21及比較例1~比較例2的利用第1評價值EV1、第2評價值EV2及第3評價值EV3的各評價結果及綜合評價(畫質評價)結果。
    表3所示的實例1~實例6分別為如下的類型，且主要用以評價波紋，上述類型是藉由將網孔開口部的重心位置予以變更而分配有表示各向異性分散的第1評價值EV1的值。
    如表3所示，實例1~實例6滿足本發明的第1評價值EV1的數值限定範圍(0.965~1.065)，評價結果為A~C，完全未視認出波紋，或處於即便視認出波紋亦幾乎不會成為問題的水準。亦即，實例3的評價為A，波紋未顯現。此外，實例2、實例4及實例5的評價均為B，波紋大體上未顯現。此外，實例1及實例6的評價均為C，處於雖視認出波紋但無問題的水準。
    相對於此，已知：比較例1及比較例2偏離本發明的第1評價值EV1的上述數值限定範圍，評價均為D，且波紋已顯現。此外，上述比較例中亦出現了顏色雜訊。
    表4所示的實例7~實例14為如下的類型，且主要用以評價顏色雜訊，上述類型是藉由將網孔開口部的重心數予以變更而分配有面積分散的值。
    如表4所示，實例7~實例14滿足本發明的第2評價值EV2的數值限定範圍(0.017 mm2(110.2像素)~0.038 mm2(240像素))，評價結果為A~C，完全未視認出顏色雜訊，或處於即便視認出顏色雜訊亦幾乎不會成為問題的水準。亦即，實例9及實例10的評價均為A，顏色雜訊不顯眼。此外，實例8、實例11及實例12的評價均為B，顏色雜訊大體上不顯眼。此外，實例7、實例13、及實例14的評價均為C，處於即便視認出顏色雜訊亦無問題的水準。
    相對於此，比較例1及比較例2偏離本發明的第2評價值EV2的上述數值限定範圍，評價均為D，顏色雜訊均顯眼。
    表5所示的實例15~實例18為如下的類型，且用以評價波紋及顏色雜訊，上述類型是藉由使規則的重心的位置具有分散而使重心位置發生變化。
    如表5所示，實例15~實例18滿足本發明的第3評價值EV3的數值限定範圍(15 μm(1.2像素)以上)，評價結果為A及C，完全未視認出顏色雜訊及波紋兩者，或處於即便視認出顏色雜訊及波紋亦幾乎不會成為問題的水準。亦即，實例16~實例18的評價均為A，顏色雜訊及波紋該兩者均不顯眼。此外，實例15的評價為C，處於雖視認出顏色雜訊及波紋中的任一者但無問題的水準。
    相對於此，比較例1及比較例2偏離本發明的第3評價值EV3的上述數值限定範圍，評價均為D，波紋均顯眼。
    表6所示的實例19~實例21是使第1評價值EV1、第2評價值EV2及第3評價值EV3該3個值發生變化的類型，且用以綜合地評價波紋及顏色雜訊。
    如表6所示，實例19~實例21滿足本發明的第1評價值EV1、第2評價值EV2及第3評價值EV3的上述各數值限定範圍，評價結果為A~C，完全未視認出顏色雜訊及波紋該兩者，或處於即便視認出顏色雜訊及波紋亦幾乎不會成為問題的水準。亦即，實例20的各評價值的評價均為A，綜合評價亦為A，顏色雜訊及波紋均不顯眼。此外，實例21的各評價值的評價為B、C及A，綜合評價為B，顏色雜訊及波紋均幾乎不顯眼。此外，實例19的各評價值的評價為B、C及C，綜合評價為C，處於雖視認出顏色雜訊及波紋中的任一者但無問題的水準。
    相對於此，於比較例1及比較例2中，本發明的第1評價值EV1、第2評價值EV2及第3評價值EV3均偏離上述各數值限定範圍，各評價值的評價均為D，而且綜合評價均為D，波紋及顏色雜訊均顯眼。
    根據以上的表3及表6可知：使網孔圖案20的頻譜Spc的沿著角度方向(φ方向)的各向異性AI(r)在徑向(r方向)上的標準偏差處於0.965以上且為1.065以下的範圍內，即，以處於上述範圍內的方式，對上述頻譜Spc進行調整，藉此可大幅度地抑制波紋的產生。
    此外，根據以上的表4及表6可知：使網孔圖案20的各開口部18(或各網孔形狀22)的面積的標準偏差處於0.017 mm2以上且為0.038 mm2以下的範圍內，即，以處於上述範圍內的方式，對面積分布進行調整，藉此可抑制顏色雜訊的產生。
    此外，根據以上的表5及表6可知：關於網孔圖案20的各開口部18(或各網孔形狀22)的重心位置分布C，各重心位置Pc1~重心位置Pc9沿著基準軸430(X'軸)配置，使與各重心位置Pc1~重心位置Pc9的相對於交叉軸432(Y'軸)的位置的均方差相關的標準偏差處於15.0 μm以上的範圍內，即，以處於上述範圍內的方式，適度地對與位置的均方差相關的標準偏差進行調整，藉此可平衡性良好地抑制顏色雜訊及波紋的產生。
    再者，本發明並不限定於上述實施形態及實例，當然可於不脫離本發明的宗旨的範圍內，自由地進行變更。
    例如，關於本發明的各實施形態而說明的導電片的製造方法，即，如下的導電片的製造方法亦為本發明的一個實施形態，該導電片的製造方法包括：製成步驟，製成影像資料，該影像資料表示排列有形狀不同的多個開口部的網孔圖案的花紋；計算步驟，基於製成的影像資料，對將各開口部的面積分布、各開口部的重心位置的二維分布或網孔圖案的功率頻譜的分散程度予以量化所得的評價值進行計算；決定步驟，基於計算出的評價值及規定的評價條件，決定一個影像資料作為輸出用影像資料；以及輸出步驟，基於決定的輸出用影像資料，將具有導電性的線材輸出形成於基體上，藉此獲得在平面觀察時，於基體上形成有網孔圖案的導電片。
    此外，關於本發明的各實施的形態而說明的導電片的製造裝置，即，如下的導電片的製造裝置亦為本發明的一個實施形態，該導電片的製造裝置包括：影像資料製成部，製成影像資料，該影像資料表示排列有形狀不同的多個開口部的網孔圖案的花紋；評價值計算部，基於影像資料製成部所製成的影像資料，對將各開口部的面積分布、各開口部的重心位置的二維分布或網孔圖案的功率頻譜的分散程度予以量化所得的評價值進行計算；影像資料決定部，基於評價值計算部所計算出的評價值及規定的評價條件，決定一個影像資料作為輸出用影像資料；以及導電片輸出部，基於影像資料決定部所決定的輸出用影像資料，將具有導電性的線材輸出形成於基體上，藉此獲得在平面觀察時，於基體上形成有網孔圖案的導電片。
    而且，如下的兩種程式亦為本發明的一個實施形態，一種程式使電腦對應於關於本發明的各實施形態而說明的導電片的製造裝置的各功能而進行動作，例如以作為上述影像資料製成部、評價值計算部及影像資料決定部而發揮功能的方式，使電腦進行動作且用以製造導電片，另一種程式使電腦依序執行上述導電片的製造方法的各步驟例如上述製成步驟、計算步驟及決定步驟且用以製造導電片。此外，記錄有如上所述的程式且能夠由電腦讀取的記憶媒體亦為本發明的一個實施形態。
    此外，根據如上所述的導電片的製造方法、製造裝置、程式及記錄媒體，製成影像資料，該影像資料表示包括多個開口部的網孔圖案的花紋，基於影像資料，對將各開口部的面積分布、各開口部的重心位置的二維分布或網孔圖案的功率頻譜的分散程度予以量化所得的評價值進行計算，基於評價值及規定的評價條件來決定一個影像資料作為輸出用影像資料，因此，可決定具有滿足規定的評價條件的雜訊特性的各開口部的形狀、或各開口部的重心位置的二維分布、或網孔圖案的功率頻譜各向異性。換言之，可適當地對網孔圖案的形狀進行控制，藉此同時抑制顏色雜訊的產生。
    1、2‧‧‧細線
    4、8、20、232‧‧‧網孔圖案
    6‧‧‧帶狀區域
    10、11、210、220、230‧‧‧導電片
    12‧‧‧透明基體
    12a、170a‧‧‧第1透明基體
    12b、170b‧‧‧第2透明基體
    14a‧‧‧第1導電部
    14b‧‧‧第2導電部
    15a‧‧‧第1虛設電極部
    15b‧‧‧第2虛設電極部
    16、16p、16q、16r、16s‧‧‧金屬細線
    18、18a~18g‧‧‧開口部
    22‧‧‧網孔形狀
    24a‧‧‧第1黏接層
    24b‧‧‧第2黏接層
    26a‧‧‧第1保護層
    26b‧‧‧第2保護層
    28a‧‧‧第1積層部
    28b‧‧‧第2積層部
    30‧‧‧顯示單元
    32‧‧‧像素
    32b‧‧‧藍色次像素
    32g‧‧‧綠色次像素
    32r‧‧‧紅色次像素
    34‧‧‧黑矩陣
    36‧‧‧區域
    40‧‧‧顯示裝置
    42‧‧‧輸入面
    44、160‧‧‧觸控面板
    46‧‧‧框體
    48‧‧‧外罩構件
    50‧‧‧電纜
    52‧‧‧可撓性基板
    54‧‧‧檢測控制部
    56‧‧‧黏接層
    58‧‧‧接觸體
    60a、172a、190a‧‧‧第1感測器部
    60b、172b、190b‧‧‧第2感測器部
    62a、174a‧‧‧第1端子配線部
    62b、174b‧‧‧第2端子配線部
    64a‧‧‧第1端子
    64b‧‧‧第2端子
    66a‧‧‧第1結線部
    66b‧‧‧第2結線部
    68a‧‧‧第1端子配線圖案
    68b‧‧‧第2端子配線圖案
    70a、176a、192a‧‧‧第1導電圖案
    70b、176b、192b‧‧‧第2導電圖案
    72a‧‧‧第1感知部
    72b‧‧‧第2感知部
    74a‧‧‧第1連接部
    74b‧‧‧第2連接部
    75a‧‧‧第1間隙部
    75b‧‧‧第2間隙部
    76a、178a、194‧‧‧第1虛設圖案
    78a‧‧‧第1網孔要素
    78b‧‧‧第2網孔要素
    80a‧‧‧第1絕緣部
    80b‧‧‧第2絕緣部
    82‧‧‧多邊形
    90‧‧‧單位區域
    92、94、96‧‧‧假想區域
    97、98、99‧‧‧劃分線
    100‧‧‧平面區域
    102‧‧‧平行光
    104‧‧‧第1界面
    106‧‧‧反射成分
    108‧‧‧斜入光
    110‧‧‧第2界面
    112、116、124、130、136‧‧‧前進成分
    114、118、134、135、138‧‧‧反射成分
    120‧‧‧第1感測器部
    122‧‧‧外光
    126、132、137‧‧‧散射成分
    128‧‧‧第3界面
    140‧‧‧感光材料
    142a‧‧‧第1感光層
    142b‧‧‧第2感光層
    144a‧‧‧第1光
    144b‧‧‧第2光
    146a‧‧‧第1光罩
    146b‧‧‧第2光罩
    148a‧‧‧第1光源
    148b‧‧‧第2光源
    150a‧‧‧第1準直透鏡
    150b‧‧‧第2準直透鏡
    152a‧‧‧第1曝光圖案
    152b‧‧‧第2曝光圖案
    162‧‧‧下側面板
    164‧‧‧上側面板
    166‧‧‧額緣黏接層
    168‧‧‧FPC
    178b、200‧‧‧第2虛設圖案
    180‧‧‧隔球
    182‧‧‧重複區域
    196‧‧‧長線圖案
    198‧‧‧短線圖案
    202‧‧‧格子要素
    212a‧‧‧第1片材構件
    212b‧‧‧第2片材構件
    310‧‧‧製造裝置
    312‧‧‧影像產生裝置
    320‧‧‧輸入部
    322‧‧‧顯示部
    324‧‧‧記憶部
    326‧‧‧亂數產生部
    328‧‧‧初始位置選擇部
    330‧‧‧更新候補位置決定部
    332‧‧‧影像截取部
    334‧‧‧顯示控制部
    336‧‧‧影像資訊推定部
    338‧‧‧影像資料製成部
    340‧‧‧網孔花紋評價部
    342‧‧‧資料更新指示部
    400‧‧‧點元素
    402、404‧‧‧線性元素
    406、414‧‧‧第1端點
    408、416‧‧‧第2端點
    410、418、422、424‧‧‧假想線
    412、420、426‧‧‧假定區域
    430‧‧‧基準軸
    Bd‧‧‧邊界
    C‧‧‧重心位置分布
    C1~C8、P11~P14‧‧‧點
    I1‧‧‧極小值
    I2‧‧‧極大值
    Img、ImgInit‧‧‧影像資料
    Imgc‧‧‧重心影像資料
    ImgE‧‧‧單位影像資料
    ImgOut‧‧‧輸出用影像資料
    Ir‧‧‧反射光量
    O‧‧‧原點
    P1~P3、Q1~Q3‧‧‧位置
    P1~P8、SD‧‧‧種子點
    P22~P24‧‧‧假想點
    Pc1~Pc9‧‧‧重心位置
    Ph‧‧‧水平像素間距
    Pv‧‧‧垂直像素間距
    r‧‧‧徑向空間頻率
    R1‧‧‧第1區域
    R2‧‧‧第2區域
    s1、s2、Z1、Z2‧‧‧箭頭
    S1~S3、S21~S33、S101~S105、S261~S268‧‧‧步驟
    SDd、SDNd、SDSd、SPd‧‧‧位置資料
    SDN‧‧‧第1種子點
    SP‧‧‧候補點
    Spc‧‧‧頻譜
    Spcc‧‧‧重心頻譜
    Ux、Uy‧‧‧空間頻率
    V1~V8‧‧‧區域
    w1、w3、w4‧‧‧寬度
    w2‧‧‧相隔寬度
    X、X'、Y、Y'‧‧‧軸
    XC-XC、XVIIC-XVIIC‧‧‧線
    θ‧‧‧角/偏角
    σ、σ1、σ2‧‧‧標準偏差
    圖1A是表示本實施形態的導電片的一例的概略平面圖。圖1B是圖1A的導電片的局部省略剖面圖。
    圖2A是表示本實施形態的導電片的另一例的概略平面圖。圖2B是圖2A的導電片的局部省略剖面圖。
    圖3是表示顯示單元的像素排列的概略說明圖。
    圖4是裝入有圖2A的導電片的顯示裝置的概略剖面圖。
    圖5A是表示圖2B所示的第1導電部的圖案例的平面圖。圖5B是表示圖2B所示的第2導電部的圖案例的平面圖。
    圖6是圖5A的第1感測器部的部分放大平面圖。
    圖7是圖5B的第2感測器部的部分放大平面圖。
    圖8是將第1導電部與第2導電部加以組合的狀態下的導電片的概略平面圖。
    圖9A是表示自一個平面區域中選擇8個點所得的結果的概略說明圖。圖9B是表示根據范諾圖來決定配線形狀所得的結果的概略說明圖。圖9C是表示根據德朗奈圖來決定配線形狀所得的結果的概略說明圖。
    圖10A是使表示網孔圖案的花紋的影像資料可視化的概略說明圖。圖10B是對圖10A所示的影像資料實施FFT所獲得的功率頻譜的分布圖。圖10C是沿著圖10B所示的功率頻譜分布的XC-XC線的剖面圖。
    圖11A是表示徑向中的功率頻譜的偏差量的計算方法的說明圖。圖11B是表示相對於空間頻率的偏差量的特性的曲線圖。
    圖12A~圖12C是網孔圖案中的各開口部所具有的面積的直方圖。
    圖13A~圖13D是與將其他要素附加至拓撲學上的封閉的開口部的區域內所得的事例(第1事例~第3事例)相關的概略說明圖
    圖14A~圖14D是與在拓撲學上開放且未構成網孔形狀的事例(第4事例~第6事例)相關的概略說明圖。
    圖15是表示圖9B所示的各區域的重心位置的說明圖。
    圖16是表示網孔圖案與各網孔形狀的重心位置的關係的概略說明圖。
    圖17A是使表示圖16所示的網孔圖案的各網孔形狀的重心位置分布的影像資料可視化的概略說明圖。圖17B是對圖17A的影像資料實施FFT所獲得的功率頻譜的分布圖。圖17C是沿著圖17B所示的功率頻譜分布的XVIIC-XVIIC線的剖面圖。
    圖18A及圖18B是模式性地表示與沿著規定方向配置的各重心位置相關的相對於規定方向的垂直方向的位置的標準偏差的計算方法的說明圖。
    圖19A是表示朝金屬細線照射的平行光的路徑的概略說明圖。圖19B是表示朝金屬細線照射的斜入光的路徑的概略說明圖。圖19C是表示圖19B中的透射光的強度分布的曲線圖。
    圖20A是表示於本發明的構成中，朝金屬細線照射的斜入光的路徑的概略說明圖。圖20B是表示圖20A中的透射光的強度分布的曲線圖。
    圖21A是先前例的第1感測器部的概略平面圖。圖21B是表示射入至圖21A的第1感測器部的外光的路徑的概略說明圖。圖21C是表示圖21A的第1感測器部中的反射光的強度分布的曲線圖。
    圖22A是本實施形態的第1感測器部的概略說明圖。圖22B是表示射入至圖22A的第1感測器部的外光的路徑的概略說明圖。圖22C是表示圖22A的第1感測器部中的反射光的強度分布的曲線圖。
    圖23是製造本實施形態的導電片的製造裝置的概略構成方塊圖。
    圖24是用以對圖23所示的影像產生裝置的動作進行說明的流程圖。
    圖25是杜利肖函數(觀察距離為300 mm)的曲線圖。
    圖26是與輸出用影像資料的製成方法(圖24的步驟S2)相關的流程圖。
    圖27A是表示影像資料中的像素位址(pixel address)的定義的說明圖。圖27B是表示影像資料中的像素值的定義的說明圖。
    圖28A是種子(seed)點的初始位置的模式圖。圖28B是以圖28A的種子點為基準的范諾圖。
    圖29是表示單位區域的端部的花紋(配線形狀)的決定方法的概略說明圖。
    圖30是表示規則地對單位影像資料進行配置而製成影像資料所得的結果的概略說明圖。
    圖31是圖26所示的步驟S26的詳細流程圖。
    圖32A是表示影像區域內的第1種子點、第2種子點以及候補點的位置關係的說明圖。圖32B是對第2種子點與候補點進行更換而將種子點的位置予以更新所得的結果的說明圖。
    圖33A是表示對各第1導電圖案及各第1虛設圖案進行截取所得的結果的概略說明圖。圖33B是表示對各第2導電圖案進行截取所得的結果的概略說明圖。
    圖34是表示本實施形態的導電片的製造方法的流程圖。
    圖35A是將製作的感光材料的一部分予以省略而表示的剖面圖。圖35B是表示同時對感光材料的兩個面進行曝光的概略說明圖。
    圖36是表示第1曝光處理及第2曝光處理的執行狀態的概略說明圖。
    圖37是第1變形例的觸控面板的概略剖面圖。
    圖38A是圖37所示的第1感測器部的部分放大平面圖。圖38B是圖37所示的第2感測器部的部分放大平面圖。
    圖39是圖37所示的觸控面板的局部省略正面圖。
    圖40A是第2變形例的第1感測器部的部分放大平面圖。圖40B是第2變形例的第2感測器部的部分放大平面圖。
    圖41是第3變形例的導電片的局部省略剖面圖。
    圖42是第4變形例的導電片的局部省略剖面圖。
    圖43A及圖43B是先前例的導電片的概略平面圖。
    σ、σ1、σ2‧‧‧標準偏差
    权利要求:
    Claims (14)
    [1] 一種導電片，其特徵在於包括：基體；以及導電部，形成於上述基體的至少一個主面，且包含多條金屬細線，藉由上述導電部，形成在平面觀察時排列有形狀不同的多個開口部的網孔圖案，上述多個開口部各自的面積的標準偏差為0.017 mm2以上且為0.038 mm2以下。
    [2] 一種導電片，其特徵在於包括：基體；以及導電部，形成於上述基體的至少一個主面，且包含多條金屬細線，藉由上述導電部，形成在平面觀察時排列有形狀不同的多個開口部的網孔圖案，關於上述多個開口部的各重心位置的二維分布，各上述重心位置沿著規定方向配置，與各上述重心位置的相對於上述規定方向的垂直方向的位置的均方差相關的標準偏差為15.0 μm以上。
    [3] 一種導電片，其特徵在於包括：基體；以及導電部，形成於上述基體的至少一個主面，且包含多條金屬細線，藉由上述導電部，形成在平面觀察時排列有形狀不同的多個開口部的網孔圖案，上述網孔圖案的功率頻譜的沿著角度方向的標準偏差的由常用對數所表示的值在徑向上的標準偏差為0.965以上且為1.065以下。
    [4] 如申請專利範圍第1項或第3項所述之導電片，其中關於上述多個開口部的各重心位置的二維分布，各上述重心位置沿著規定方向配置，與各上述重心位置的相對於上述規定方向的垂直方向的位置的均方差相關的標準偏差為15.0 μm以上。
    [5] 如申請專利範圍第1項或第2項所述之導電片，其中上述網孔圖案的功率頻譜的沿著角度方向的標準偏差的由常用對數所表示的值在徑向上的標準偏差為0.965以上且為1.065以下。
    [6] 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述之導電片，其中上述多個開口部各自的面積的標準偏差為0.019 mm2以上且為0.027 mm2以下。
    [7] 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述之導電片，其中關於上述多個開口部的各重心位置的二維分布，與各上述重心位置的相對於上述規定方向的垂直方向的位置的均方差相關的標準偏差為54.62 μm以上。
    [8] 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述之導電片，其中上述網孔圖案的功率頻譜的沿著角度方向的標準偏差的在徑向上的標準偏差為0.97以上且為1.06以下。
    [9] 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述之導電片，其中上述導電部包括：第1導電部，形成於上述基體的一個主面，且包含多條金屬細線；以及第2導電部，形成於上述基體的另一個主面，且包含多條金屬細線，上述網孔圖案是藉由將上述第1導電部及上述第2導電部加以組合而形成。
    [10] 如申請專利範圍第9項所述之導電片，更包括：第1保護層，設置於上述一個主面上，且將上述第1導電部予以包覆；以及第2保護層，設置於上述另一個主面上，且將上述第2導電部予以包覆，上述基體相對於上述第1保護層的相對折射率、及/或上述基體相對於上述第2保護層的相對折射率為0.86以上且為1.15以下。
    [11] 如申請專利範圍第9項所述之導電片，更包括：第1虛設電極部，上述第1虛設電極部形成於上述一個主面，且包含與上述第1導電部電性絕緣的多條金屬細線，上述第1導電部包括多個第1導電圖案，上述第1導電圖案沿著一個方向配置，且分別連接著多個第1感知部，上述第1虛設電極部包括多個第1虛設圖案，上述第1虛設圖案配置於鄰接的上述第1導電圖案彼此的間隙部，上述第1虛設圖案的配線密度與上述第1導電圖案的配線密度相等。
    [12] 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述之導電片，其中上述導電部形成於上述基體的一個主面。
    [13] 一種觸控面板，其特徵在於包括：如申請專利範圍第1項至第12項中任一項所述之導電片；以及檢測控制部，對來自上述導電片的主面側的接觸位置或接近位置進行檢測。
    [14] 一種顯示裝置，其特徵在於包括：如申請專利範圍第1項至第12項中任一項所述之導電片；檢測控制部，對來自上述導電片的上述一個主面側的接觸位置或接近位置進行檢測；以及顯示部，基於顯示信號來將影像顯示於顯示畫面上，上述導電片使上述另一個主面側與上述顯示部相對向，且配置於上述顯示畫面上。
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